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BTC封装和BGA封装

发布时间:2023-06-01 18:19:37

『壹』 200分内存型号怎么认的

EDO DRAM(Extended Data Output RAM),扩展数据输出内存,是Micron公司的专利技术,有72线和168线之分,5V电压,带宽32bit,基本速率40ns以上。 EDO RAM 是在传统 FPRAM (Fast Page RAM) 中改进过来, 运作上主要系假定下一次的存取地址都是与上一次连续, 然后准备定资料 (这是假设用户的资料多数是 sequential 的), 这样便能把 memory throughput 由 FPRAM 的最高 176MB/s 提升到 EDO RAM 的最高 264MB/s, 于 1993 年后 EDO RAM 便开始取代 FPRAM 的位置

静态随机存取内存 (Static Random Access Memory, SRAM) 是半导体内存的一种, 属随机存取内存 (RAM) 一类。所谓的「静态」, 是指这种内存只要保持通电, 里面储存的资讯就可以恒常保持。相对之下, 动态随机存取内存(DRAM)里面所储存的资料就需要周期性地更新。然而, 当电力供应停止时, 其内储存的资料还是会消失, 这与在断电后还能储存资料的 ROM 或快闪存储器仍然是不同的。

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)的简称,是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压,带宽64位,SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使RAM和CPU能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,与 EDO内存相比速度能提高50%。SDRAM基于双存储体结构,内含两个交错的存储阵列,当CPU从一个存储体或阵列访问数据时,另一个就已为读写数据做好了准备,通过这两个存储阵列的紧密切换,读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存,在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存,从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及,SDRAM也正在慢慢退出主流市场。

DDR双通道同步动态随机存储器(双通道同步动态随机存取内存)即DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为具有双倍资料传输率之SDRAM,其资料传输速度为系统时脉之两倍,由于速度增加,其传输效能优于传统的SDRAM。

由于传统SDRAM在运作时,一个单位时间内只能读/写一次,当同时需要读取和写入时,便要等其中一个动作完成才能继续进行下一个动作。而DDR SDRAM则解决这项缺点,由于读取和写入可以在一个单位时间内进行,因此效能便会提升两倍,这也便是为何DDR SDRAM的时脉要「自动乘以二」的缘故。
JEDEC为DDR存储器设立了速度规范,并分为了以下两个部分:按内存芯片分类和按内存模块分类。
规格(记忆芯片)
DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行
DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行
DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行
DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行(JEDEC制定的DDR最高规格)
DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行(非JEDEC制定的DDR规格)
DDR-700的例子(产品):Patriot PDC1G5600ELK

[编辑] 规格 (芯片模块)
PC-1600内存模块指工作在100 MHz下的DDR-200内存芯片,其拥有1.600 MegaByte/s的带宽
PC-2100内存模块指工作在133 MHz下的DDR-266内存芯片,其拥有2.133 MegaByte/s的带宽
PC-2700内存模块指工作在166 MHz下的DDR-333内存芯片,其拥有2.667 MegaByte/s的带宽
PC-3200内存模块指工作在200 MHz下的DDR-400内存芯片,其拥有3.200 MegaByte/s的带宽

DDR2第二代双倍数据率同步动态随机访问内存(Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般称为 DDR2 SDRAM),是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品,提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR SDRAM(双倍数据率同步动态随机访问内存)的后继者,也是现时流行的内存产品。

JEDEC为DDR存储器设立了速度规,并分为了以下两个部分:按内存芯片分类和按内存模块分类。
规格(记忆芯片)
DDR2-400:DDR2-SDRAM 记忆片在200 MHz下运行
DDR2-533:DDR2-SDRAM 记忆芯片在266 MHz下运行
DDR2-667:DDR2-SDRAM 记忆芯片在333 MHz下运行
DDR2-800:DDR2-SDRAM 记忆芯片在400 MHz下运行
DDR2-1000:DDR2-SDRAM 记忆芯片在500 MHz下运行
DDR2-1066:DDR2-SDRAM 记忆芯片在533 MHz下运行
现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200,但必须在高电压下运作,以维持其稳定性。

DDR3显存可以看作是DDR2的改进版,二者有很多相同之处,例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进:DDR3显存采用0.11微米生产工艺,耗电量较DDR2明显降低。此外,DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术,只要电压合适,显示芯片可直接支持DDR3显存。当然,显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病,DDR3也不例外,DDR3的CAS latency为5/6/7/8,相比之下DDR2为3/4/5。客观地说,DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步,但DDR3的性能优势仍比较明显:

(1)功耗和发热量较小:吸取了DDR2的教训,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高:由于能耗降低,DDR3可实现更高的工作频率,在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点,同时还可作为显卡的卖点之一,这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本:DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit,搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。如此一来,显卡PCB面积可减小,成本得以有效控制,此外,颗粒数减少后,显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好:相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变,搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存,这对厂商降低成本大有好处。
目前,DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory(存储器总线式动态随机存储器)的简称,是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存,它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据,同时使用低电压信号,在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组,后来又有840,850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持,但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制,一直未能成为市场主流,其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代,市场份额很小。

『贰』 内存条上的数字都代表什么意思

内存条上的数字都代表以下意思:

1.这是一条海力士DDR2 667内存2RX16表示 双面内存有16个内存颗粒,5300S表示内存带宽5.3G5 5 5-12表示内存的延迟。

2.第二排是序列号之类的,意义不详。

『叁』 电脑的记忆体有什么规格

倒,你是从英文翻译的叫记忆体吧,明明中文叫作内存

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从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片,SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片,里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时,支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息,按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001(下载地址http://www.sisoftware.co.uk/index.htm)这类工具软件来查看SPD芯片中的信息,例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式,一般为PCx-xxx-xxx,但是不同的内存规范,其格式也有所不同。
1、内存的定义

内存指的就是主板上的存储部件,是CPU直接与之沟通,并对其存储数据的部件。存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。

2、内存的分类

1)内存类型分类
RAM (Random Access Memory)
随机读写存储器

ROM (Read Only Memory)
只读存储器

SRAM (Static Random Access Memory)
静态随机读写存储器

DRAM (Dynamic Random Access Memory)
动态随机读写存储器

2)内存芯片分类
FPM (Fast-Page Mode) DRAM
快速页面模式的DRAM

EDO (Extended Data Out) DRAM
即扩展数据输出DRAM 速度比FPM DRAM快15%~30%

BEDO (Burst EDO) DRAM
突发式EDO DRAM 性能提高40%左右

SDRAM (Synchronous DRAM)
同步DRAM 与CPU的外部工作时钟同步

RDRAM (Rambus DRAM )
DDR (Double Data Rate) DRAM

3)按内存速度分
PC66
PC100
PC133
PC200
PC266

4)按内存接口形式分

SIMM(Single-In Line Memory Mole)
单边接触内存条,分为30线和72线两种。
DIMM(Dual In-Line Memory Mole)
双边接触内存条,168线,184线,200线等,目前广泛使用168线DIMM。
SODIMM Small Outline Dual In-line Memory Mole
144线DIMM主要用于笔记本型电脑
RIMM

5)按是否有缓冲分

Unbuffered
Registered

6)按是否有校验分

Non-ECC
ECC

3、PC66/100 SDRAM内存标注格式
(1)1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为:PCa-bcd-efgh,例如PC100-322-622R,其中a表示标准工作频率,用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示,一般为2;d表示TRP(RAS的预充电时间),用时钟周期数表示,一般为2;e表示最大的tAC(相对于时钟下沿的数据读取时间),一般为6(ns)或6。5,越短越好;f表示SPD版本号,所有的PC100内存条上都有EEPROM,用来记录此内存条的相关信息,符合Intel PC100规范的为1。2版本以上;g代表修订版本;h代表模块类型;R代表DIMM已注册,256MB以上的内存必须经过注册。
(2)1.2b+版本
其格式为:PCa-bcd-eeffghR,例如PC100-322-54122R,其中a表示标准工作频率,用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示;d表示TRP(RAS的预充电时间),用时钟周期数表示;ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时不带小数点,如54代表5.4ns tAC;ff代表SPD版本,如12代表SPD版本为1.2;g代表修订版本,如2代表修订版本为1.2;h代表模块类型;R代表DIMM已注册,256MB以上的内存必须经过注册。

4、PC133 SDRAM(版本为2.0)内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准,威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3,延用了PC100的大部分规范,例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD;英特尔的PC133规范要严格一些,是PC133 CAS=2,要求内存芯片至少7.5ns,在133MHz时最好能达到CAS=2。
PC133 SDRAM标注格式为:PCab-cde-ffg,例如PC133U-333-542,其中a表示标准工作频率,单位MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U代表DIMM不含缓冲区;c表示最小的CL(即CAS的延迟时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;d表示RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预充电时间,用时钟周期数表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时不带小数点,如54代表5.4ns tAC;g代表SPD版本,如2代表SPD版本为2.0。

5、PC1600/2100 DDR SDRAM(版本为1.0)内存标注格式
其格式为:PCab-ccde-ffg,例如PC2100R-2533-750,其中a表示内存带宽,单位为MB/s;a*1/16=内存的标准工作频率,例如2100代表内存带宽为2100MB/s,对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U代表DIMM不含缓冲区;cc表示CAS延迟时间,用时钟周期数表示,表达时不带小数点,如25代表CL=2.5;d表示RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预充电时间,用时钟周期数表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时不带小数点,如75代表7.5ns tAC;g代表SPD版本,如0代表SPD版本为1.0。

6、RDRAM 内存标注格式
其格式为:aMB/b c d PCe,例如256MB/16 ECC PC800,其中a表示内存容量;b代表内存条上的内存颗粒数量;c代表内存支持ECC;d保留;e代表内存的数据传输率,e*1/2=内存的标准工作频率,例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s,对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

7、各厂商内存芯片编号
(1)HYUNDAI(现代)
现代的SDRAM内存兼容性非常好,支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它,其SDRAM芯片编号格式为:HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品;5a表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);b代表工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref);fg代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);h代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系);I代表接口(0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口);j代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-II,TD=13mm TSOP-II,TG=16mm TSOP-II);no代表速度(7=7ns〔143MHz〕,8=8ns〔125MHz〕,10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕,10s=10ns〔PC-100 CL3〕,10=10ns〔100MHz〕,12=12ns〔83MHz〕,15=5ns〔66MHz〕)。
例如HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms,8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10,其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难;编号ATC8的可超到124MHz,但上133MHz也不行;编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲,编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100,75的是PC133的,但现代内存目前尾号为75的早已停产,改换为T-H这样的尾号,可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多,这可能是以前的屯货,但可能性很小,假货的可能性较大,所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

(2)LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼并,市面上LGs的内存芯片也很常见。
LGS SDRAM内存芯片编号格式为:GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的产品;72代表SDRAM;ab代表容量(16=16Mbits,66=64Mbits);cd表示数据位宽(一般为4、8、16等);e代表Bank(2=2个Bank,4=4个Bank);f表示内核版本,至少已排到E;g代表功耗(L=低功耗,空白=普通);T代表封装(T=常见的TSOPⅡ封装,I=BLP封装);hi代表速度(7.5=7.5ns〔133MHz〕,8=8ns〔125MHz〕,7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ,7J=10ns〔100MHz〕,10K=10ns〔100MHz〕,12=12ns〔83MHz〕,15=15ns〔66MHz〕)。
例如GM72V661641CT7K,表示LGs SDRAM,64Mbit,16位输出,4个Bank,7K速度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中,7.5是PC133内存;8是真正的8ns PC 100内存,速度快于7K/7J;7K和7J属于PC 100的SDRAM,两者主要区别是第三个反应速度的参数上,7K比7J的要快,上133MHz时7K比7J更稳定;10K属于非PC100规格的,速度极慢,由于与7J/7K外型相似,不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

(3)Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式,而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存,其大小是TSOP封装内存的三分之一,在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍,而且体积要小、更薄,其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm,线路阻抗也小,因此具有良好的超频性能和稳定性,不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好,例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3(有些能上CL=2)的极品PC133内存条,该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题,因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时,你要注意别买了打磨条,市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存,所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度,注意观察内存上字迹是否清晰,是否有规则的刮痕,芯片表面是否发白等,看看芯片上的编号。
KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒,这使它的速度得到了很大程度的提升,即使你用它工作在PC133,其速度也会比一般的PC133内存来的快;Kingmax的PC133内存芯片是-7的,例如编号KSV884T4A1A-07;而PC100内存芯片有两种情况:部分是-8的(例如编号KSV884T4A0-08),部分是-7的(例如编号KSV884T4A0-07)。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于:PC100的内存有相当一部分可以超频到133,但不是全部;而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下(CL=2)。

(4)Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条,各种金邦金条的SPD均是确定的,对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存;金色金条P针对PC133服务器系统,适合双处理器主板;绿色金条是PC100内存;蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板,面向超频玩家;蓝V色金条针对KX133主板;蓝T色金条针对KT-133主板;银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型(GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装,金SDRAM=BLP);GP代表金邦科技的产品;6代表产品家族(6=SDRAM);LC代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS);16M8是设备号码(深度*宽度,内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit,其中16 = 内存基粒容量;8 = 基粒数目;M = 容量单位,无字母=Bits,K=KB,M=MB,G=GB);4表示版本;TG是封装代码(DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,TG=TSOP(第二代),U=μ BGA);-7是存取时间(7=7ns(143MHz));AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条,128MB,TSOP(第二代)封装,0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺,7ns、143MHz速度。

(5)SEC(Samsung Electronics,三星)
三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示:KM表示三星内存;4代表RAM种类(4=DRAM);16代表内存芯片组成x16(1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16);C代表电压(C=5V、V=3.3V);254代表内存密度256Kbit(256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx);D代表内存版本(空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代)即三星256Kbit*16=4Mb内存。
三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示:KM表示三星内存;4代表RAM种类(4=DRAM);16代表内存芯片组成x16(4 = x4、8 = x8、16 = x16);S代表SDRAM;16代表内存芯片密度16Mbit(1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M);2代表刷新(0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K);3表示内存排数(2=2排、3=4排);0代表内存接口(0=LVTTL、1=SSTL);A代表内存版本(空白=第1代、A=第2代、B=第3代);G代表电源供应(G=自动刷新、F=低电压自动刷新);10代表最高频率(7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 )。三星的容量需要自己计算一下,方法是用"S"后的数字乘S前的数字,得到的结果即为容量,即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片,刷新为8K,内存Banks为3,内存接口LVTTL,第2代内存,自动刷新,速度是10ns(100 MHz)。
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下:
Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示:KM表示三星内存;4代表RAM种类(4=DRAM);16表示内存芯片组成x16(4=x4、8=x8、16=x16、32=x32);H代表内存电压(H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]);4代表内存密度4Mbit(4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G);0代表刷新(0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]);3表示内存排数(3=4排、4=8排);0代表接口电压(0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V));T表示封装类型(T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP));Z代表速度133MHz(5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps))。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片,3.3V DDR SDRAM,刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs),内存芯片排数为4排(两面各两排),接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V),封装类型66针TSOP II,速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示:KM表示三星内存;4代表RAM种类(4=DRAM);18代表内存芯片组成x18(16 = x16、18 = x18);RD表示产品类型(RD=Direct RAMBUS DRAM);8代表内存芯片密度8M(4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M);C代表封装类型(C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP);80代表速度(60 = 600Mbps、80 = 800Mbps)。即三星8M*18bit=144M,BGA封装,速度800Mbps。

(6)Micron(美光)
Micron公司是世界上知名内存生产商之一(如右图Micron PC143 SDRAM内存条),其SDRAM芯片编号格式为:MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的产品;48代表产品家族(48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus);ab代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS);cdMef设备号码(深度*宽度),无字母=Bits,K=Kilobits(KB),M=Megabits(MB),G=Gigabits(GB)Mricron的容量=cd*ef;ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk);TG代表封装(TG=TSOPII封装,DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,U=μ BGA);j代表功耗(L=低耗,空白=普通);hj代表速度,分成以下四类:
(A)、DRAM
-4=40ns,-5=50ns,-6=60ns,-7=70ns
SDRAM,x32 DDR SDRAM(时钟率 @ CL3)
-15=66MHz,-12=83MHz,-10+=100MHz,-8x+=125MHz,-75+=133MHz,-7x+=143MHz,-65=150MHz,-6=167MHz,-55=183MHz,-5=200MHz
DDR SDRAM(x4,x8,x16)时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHz,-75+=133MHz,-7+=143MHz
(B)、Rambus(时钟率)
-4D=400MHz 40ns,-4C=400MHz 45ns,-4B=400MHz 50ns,-3C=356MHz 45ns,-3B=356MHz 50ns,-3M=300MHz 53ns
+的含义
-8E支持PC66和PC100(CL2和CL3)
-75支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL=3)
-7支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2和CL3)
-7E支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2+和CL3)
(C)、DDR SDRAM
-8支持PC200(CL2)
-75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5)
-7支持PC200(CL2),PC266B(CL2),PC266A(CL=2.5)。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM,16M8=16*8MB=128MB,133MHz

(7)其它内存芯片编号
NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示:μPD4代表NEC的产品;5代表SDRAM;64代表容量64MB;8表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位,当数据位宽为16位和32位时,使用两位);4代表Bank数(3或4代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;2代表2个Bank);1代表LVTTL(如为16位和32位的芯片,则为两位,第2位双重含义,如1代表2个Bank和LVTTL,3代表4个Bank和LVTTL);G5为TSOPII封装;-A80代表速度:在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2(80=8ns〔125MHz CL 3〕,10=10ns〔PC100 CL 3〕,10B=10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范,12=12ns,70=[PC133],75=[PC133]);JF代表封装外型(NF=44-pinTSOP-II;JF=54-pin TSOPII;JH=86-pin TSOP-II)。
HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示:HM代表日立的产品;52是SDRAM类型(51=EDO DRAM,52=SDRAM);64代表容量64MB;80表示数据位宽(40、80、16分别代表4位、8位、16位);5F表示是第几个版本的内核(现在至少已排到"F"了);空白表示功耗(L=低功耗,空白=普通);TT为TSOII封装;B60代表速度(75=7.5ns〔133MHz〕,80=8ns〔125MHz〕,A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕,B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3)。
SIEMENS(西门子)内存芯片编号格式为:HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量,gh是速度(6=166MHz,7=143MHz,7.5=133MHz,8=125MHz,8B=100MHz〔CL3〕,10=100MHz〔PC66规格〕)。
TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示:TC代表是东芝的产品;59代表SDRAM(其后的S=普通SDRAM,R=Rambus SDRAM,W=DDR SDRAM);64代表容量(64=64Mb,M7=128Mb);08表示数据位宽(04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);B表示内核的版本;FT为TSOPII封装(FT后如有字母L=低功耗,空白=普通);80代表速度(75=7.5ns〔133MHz〕,80=8ns〔125MHz〕,10=10ns〔100MHz CL=3〕)。
IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10,其中IBM代表IBM的产品;03代表SDRAM;16代表容量16MB;80表示数据位宽(40、80、16分别代表4、8、16位);C代表功耗(P=低功耗,C=普通);D表示内核的版本;10代表速度(68=6.8ns〔147MHz〕,75A=7.5NS〔133MHz〕, 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕,360或322=10ns〔PC100 CL3〕,B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3时的标定速度为:135MHZ,10=10NS〔100MHz〕。

『肆』 cdrh127和mdrh127封装的电感 有什么区别呢

没什么区别,应该只是叫法不一样。电感每家公司的叫法都不一样的。比如风华的型号有PBO、PBS、PS、LBS、PIO、MS、LBS、BTC、PIN.优亿电子的型号有YYRH,YYT,YYD,YYR。有没有区别最好是有应该的规格书或者实物对比一下就知道了。希望对你有此帮助并得到你的采纳。谢谢!

『伍』 hfil和fil的区别是什么

区别:FIL代表是IPFS的激励层和保障层,HFIL代表的标准满存算力通证.
我们在挖Fil的时候,要考虑的事情非常多,包括:硬件的选择和组装,软件的优化,网络配置,专业的运维;挖矿还包括,封装扇区Fil抵押,Gas的消耗(浮动);专业矿机需要有封装机,存储机;而封装机需要非常高端的CPU和GPU,整一套下来,投入的成本比较高
拓展资料:
File Davinci会发一种代币——Filecoin,FIL的矿工分为2种存储矿工和检索矿工,通过提供存储空间和检索数据来获得Filecoin。fileDAC通过Standard的激励模式将激励矿工贡献出自己的存储空间,并且建立了节点。构建一个去中心化的存储市场。获得的 Filecoin 是有价值的,因为在这个存储过程中,Filecoin与实体经济相结合。用户存储文件需要支付 Filecoin,矿工帮助用户存储文件,便获得 Filecoin。Filecoin 代币能在 FIL 市场里流通起来,有供应需求。
FIL的收益是通过什么呢?
FIL提供三种收益:
1、存储收益:为需要存储内容的客户提供存储空间,以帮助他们保存内容碎片,你会获得存储收益
2、检索收益:提供检索服务、带宽,快速提供客户所需要的内容会获得检索收益
3、打包收益:将区块打包,每次确认一个区块,网络就会给一个奖励 另一个重要区别是FIL矿机和BTC的本质也不一样,矿机的本质是数据计算设备。但是 FIL矿机的本质是数据存储设备。 而且FIL 的挖矿效率是与存储活跃度成比例的,直接向客户提供有用的存储服务(不像BTC的挖矿仅是为了维护区块链的共识)。
FIL,本质是一个区块链+存储的项目,业务相对比较纯粹,属于基建的范畴。这和国家提出的”新基建“政策方向是一致的。FIL的诞生可以说拓展了区块链的技术边界,优化了数据的存储方式,加速了区块链落地于实体应用。

『陆』 KBTC是正宗的主流币吗

Defi的火爆并不是昙花一下,从2018年开始Defi生态初具萌芽但是Defi因为安全问题难成体量。从比特币诞生到被赋予价值开始,数字货币自带了金融属性,所以说区块链最先落地的领域一定是金融领域。而对于Defi则是建立在数字货币有价值共识的基础上的“二级金融”。
从2020年开始,流动性挖矿点燃了Defi,而作为Defi领域的龙头老大项目Compound将自家治理代币Comp上线Uniswap则是“始作俑者”,一方面流动性挖矿遍地开花,另一方面我们看到蓄势已久的Defi的潜力。而Defi一方面将数字货币进行金融属性二次赋值,另一方面Defi与区块链的各个领域紧密相连,比如矿业。

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对于致力于协调、帮助、整合、执行世界BTC 资源、资金和 政策,解决 BTC 的投融资的困难和电费消耗等其他问题,促进行业共同发展的比特币王国来说,其系统内对Defi进行了集成。比特王国使用一个多因素模型来研究智能合约、抵押品和流动性风险,而模型本身使用公共链外以及链上数据的组合来评估风险,尽可能的提升其去中心化金融的安全性。同时对其Defi业务进行模块化的抽象和封装,同时输出为SDK以及API。
对于比特币矿业系统内的任何资源比特王国都有涉及,尤其是矿机领域。针对当下“优质二手矿机资源不足”、“矿机检测缺少专业流程”、“二手矿 机买卖困难”、“市场定价和交易缺少标准”等问题,比特王国创建二手矿机平台并提供专业的矿机检测技术以一站式托管服务。比特王国还引入了 KBTC 的数字货币辅助管理,让买卖双方根据 KBTC(系统原生代币)的货币功能协商成交,从价格机制上保障用户更容易获得公允和实惠的价格,并通过 DeFi金融模型作为指导,进行项目的发展和升级。

KBTC作为比特王国系统内的原声代币,扮演着重要的角色。KBTC能够引大量的用户入驻和关注,在前期能帮助 KBTC 的自有流量池的打造。当 KBTC 的持有者越来越多时,此时的 KBTC具有了货币功能。这意味着 KBTC 可以当做货币在“二手矿机交易”、“矿机算力托管”中发挥越来越大的作用。KBTC 作为一种通缩货币,也将会越来越值钱。所以对于KBTC来讲,其代表了比特王国的主旨,也代表了价值。
在2020年的9月22日,KBTC通证上线了KG交易平台。并且在22日的下午14时开放充币,在18时开放交易(KBTC/USDT)以及提币功能。而对于KG交易平台的主旨与比特王国高度相似,即都是致力于矿业生态以及Defi金融。

『柒』 BTC 比特币 内涵

1、区块链和比特币的概念、内涵、本质等。

2、区块链相关法律法规、规定规划、通知公告等。

第一,笔者眼中的区块链:

如同它名字一般,是指一个区域连接成一块,最终形成很多区块的拼接,而每一个区块都有一个节点可以承载不同的事物,比如说你买一箱苹果在这个节点上销售者给你卖100块,你就可以通过这个链条知道上一个种苹果的农户是50块卖给销售者的,信息公开并且透明化,可以揭开交易、服务、沟通过程中的层层面纱;个人认为区块链不是去中心化,而是所有中心化的联合,因为每一个节点就是一个小中心,将所有中心连接起来形成一整个区块链数据库,而不是传统的将一个事物孤立为一点从而发散,是需要每一个节点配合联动,是一种思想模型,一种载体建立在分布式核算和存储上,只是不存在中心化的硬件或管理机构,任意节点的权利和义务均等,一个系统中的数据块由整个系统中具有维护功能的节点来共同维护。

网络和360网络的解释,和根据我国工业和信息化部《中国区块链技术和应用发展白皮书(2016)》的定义:其是分布式数据存储、点对点传输、共识机制、加密算法等计算机技术的新型应用模式。

2018年3月31日,《区块链技术原理与开发实战》正式引入高校讲堂,首次课程在西安电子 科技 大学南校区开讲。2018年4月,一群来自牛津大学的学者宣布创办世界上第一所区块链大学——伍尔夫大学。5月29日,网络上线区块链新功能,以保证词条编辑公正透明。

...

第二.笔者眼中的比特币:

基于区块链技术应用发展起来的数字货币,非法定货币,向法律规则发起了挑战,引发诸多 社会 和财产风险。需要我们慎重评估区块链技术应用可能存在的法律问题,思考对策。监管问题...

...

...

狭义区块链,是一种按照时间顺序将数据区块以顺序相连的方式组合成的一种链式数据结构,并以密码学方式保证的不可篡改和不可伪造的分布式账本。

广义区块链技术是利用块链式数据结构来验证与存储数据、利用分布式节点共识算法来生成和更新数据、利用密码学的方式保证数据传输和访问的安全、利用由自动化脚本代码组成的智能合约来编程和操作数据的一种全新的分布式基础架构与计算方式。一般说来,区块链系统由数据层、网络层、共识层、激励层、合约层和应用层组成数据层封装了底层数据区块以及相关的数据加密和时间戳等技术;网络层则包括分布式组网机制、数据传播机制和数据验证机制等;共识层主要封装网络节点的各类共识算法;激励层将经济因素集成到区块链技术体系中来,主要包括经济激励的发行机制和分配机制等;合约层主要封装各类脚本、算法和智能合约是区块链可编程特性的基础(区块链技术的广泛应用,离不开智能合约,所谓的智能合约就是以数字编码的形式定义承诺。交易的双方无须彼此信任,一切交易都由代码强制执行。但智能合约的形式及其内容的效力,还没有得到法律和司法的正式认可,其作为数字编码的形式体现出来的合同文本,尚无法确知,是否可以构成生效合同的要件,是否可以符合司法拟采信证据的真实性、合法性、有效性。);应用层则封装了区块链的各种应用场景和案例。

区块链已经从区块链1.0——数字货币到2.0——数字资产与智能合约,发展到现在区块链3.0——DAO、DAC(区块链自洽组织、区块链自洽公司)-->区块链大 社会 (科学,医疗,教育,区块链+AI)。从比特币等加密货币到追踪中国放养肉鸡。专门跟加密货币相关的专利申请——不包括在区块链专利类别中——在2017年增长了16%,达到602项。中国2017年申请了225项区块链项专利,而2016年为59项,

其次是美国(去年为91项,2016年为21项)。其体系结构的核心优势:任何节点都可以创建交易,在经过一段时间的确认之后,就可以合理地确认该交易是否为有效,区块链可有效地防止双方问题的发生。对于试图重写或者修改交易记录而言,它的成本是非常高的。

区块链实现了两种记录:交易以及区块。交易是被存储在区块链上的实际数据,而区块则是记录确认某些交易是在何时,以及以何种顺序成为区块链数据库的一部分。交易是由参与者在正常过程中使用系统所创建的(以加密数字货币为例,一笔交易是由b将代币发送给a所创建的),而区块则是由我们称之为矿工的单位负责创建。

...

(部分)区块链的特点:

1. 去中心化:使用分布式核算和存储,不存在中心化的硬件或管理机构,任意节点的权利和义务都是均等的,系统中的数据块由整个系统中具有维护功能的节点来共同维护。

2. 开放性:系统开放的,除了交易各方的私有信息被加密外,区块链的数据对所有人公开,任何人都可以通过公开的接口查询区块链数据和开发相关应用,因此整个系统信息高度透明。(私有物被加密,公有物透明)

3. 自治性:区块链采用基于协商一致的规范和协议(比如一套公开透明的算法)使得整个系统中的所有节点能够在去信任的环境自由安全的交换数据,使得对“人”的信任改成了对机器的信任,任何人为的干预不起作用。

4. 信息不可篡改:一旦信息经过验证并添加至区块链,就会永久的存储起来,除非能够同时控制住系统中超过51%的节点,否则单个节点上对数据库的修改是无效的,因此区块链的数据稳定性和可靠性极高。

5. 匿名性:由于节点之间的交换遵循固定的算法,其数据交互是无需信任的(区块链中的程序规则会自行判断活动是否有效),因此交易对手无须通过公开身份的方式让对方自己产生信任,对信用的累积非常有帮助。

综上笔者认可的观点是区块链是一种系统,是一种算法技术的创新应用,只要不涉及伦理问题和道德风险,本不存在国家监管与法律规制问题。

...

参考文献

1. 郑惠敏:《区块链法律:部分国家对虚拟货币、数字代币的性质认定》大风号自媒体。

2. 曹磊:《区块链,金融的另一种可能》.首席财务官.2015年24期。

3. 王文嫣:《安全透明的公共账本——区块链》.上海证券报·中国证券网.2016年2月26日。

4. 蒋润祥;魏长江:《区块链的应用进展与价值探讨》.金融视界.2016年Z2期。

5. “区块链”到底是什么?和普通人有什么关系?.网易 科技 .2016年8月5日。

6. 刘晋豫:《 香港证监会发布公告提醒数字货币风险 称其会在必要时采取执法行动》凤凰网 财经 金色 财经 .2018年2月9日。

7. 苏德栋:试论区块链法律规制与风险.中华全国律师协会.

『捌』 如何鉴别真假金邦内存

没假的

『玖』 IPC中文标准都有哪些

标准列表给你,里面有下载地址。

序号 标准名 中文名

1 IPC J-STD-001F ★ 焊接的电气和电子组件要求 J-STD-001是全球公认的唯一一份行业达成
共识的涵盖焊接组装材料和工艺的规范。该
标准与IPC-A-610形成完美互补,包含无铅
制造信息。本标准对3 个级别的产品都做了
要求,并有彩色插图,有更易于理解的用于
生产高质量焊接互连和组件的材料、方法及
检验的标准。

2 IPC J-STD-002D ★ 元器件引线、端子、焊片、接线柱及导线的可焊性测试

3 IPC J-STD-003C 印制板可焊性测试

4 IPC J-STD-004B ★ 助焊剂要求

5 IPC J-STD-005A ★ 焊膏要求

6 IPC J-STD-006C 电子焊接领域电子级焊料合金及含有助焊剂与不含助焊剂的固体焊料的要求

7 IPC J-STD-020E 非密封型固态表面贴装组件的湿度回流焊敏感性分类

8 IPC J-STD-030 板级底部填充材料的选择与应用

9 IPC J-STD-033C 对湿度、回流焊敏感的表面贴装器件的处置、包装、发运及使用方法

10 IPC J-STD-035 非气密封装电子元件声学显微镜

11 IPC J-STD-075 组装工艺中非IC电子元器件的分级 针对组装工艺的非IC电子元件分类

12 IPC J-STD-609B 元器件、印制电路板和印制电路板组件的有铅、无铅及其它属性的标记和标签

13 IPC/WHMA-A-620B
★★ 线缆及线束组件的要求与验收

14 IPC-1401 供应链社会责任管理体系指南

15 IPC-1601 印制板操作和贮存指南

16 IPC-1710 印刷电线板原始制造商资质认证手册

17 IPC-1720A 组装资格认证纲要

18 IPC-1751 声明流程管理的通用要求

19 IPC-1752 材料声明管理

20 IPC-1755 冲突矿物数据交换标准

21 IPC-2141 阻抗受控高速电路板设计指南

22 IPC-2152 印刷板设计中载流能力的测定标准

23 IPC-2221B 印制版设计通用标准

24 IPC-2222A 刚性有机印制板设计分标准

25 IPC-2223C 挠性印制板设计分标准

26 IPC-2224 PC卡用印制电路板分设计分标准

27 IPC-2225 有机多芯片模块(MCM-L)和MCM-L
组件设计分标准

28 IPC-2226 高密度互连(HDI)印制板设计分标准

29 IPC-2252 射频/微波电路板设计指南

30 IPC-2291 IPC/JPCA印刷电子设计指南

31 IPC-2581 印制板组件产品制造描述数据和传输方
法通用要求

32 IPC-4101D 刚性及多层印制板用基材规范

33 IPC-4103 高速/高频应用基材规范

34 IPC-4104 IPC/JPCA高密度互连(HDI)和微型导通
孔材料规范

35 IPC-4121 为多层印制电路板应用选择核心建筑的指南,取代IPC-CC-110A

36 IPC-4202A 挠性印制电路用挠性基底介质

37 IPC-4203 用于挠性印制电路的覆盖和粘合材料

38 IPC-4204A-WAM1 挠性印制电路用挠性覆金属箔介质材料

39 IPC-4412B 印制板用处理“E”玻璃纤维布规范

40 IPC-4552 印制板化学镍/浸金(ENIG)镀层规范

41 IPC-4553 印制板浸银规范

42 IPC-4554 印制板浸锡规范

43 IPC-4556 印制板化学镍/化学钯/浸金(ENEPIG)
镀层规范

44 IPC-4562A 印制板用金属箔

45 IPC-4591 IPC/JPCA印刷电子功能导电材料要求

46 IPC-4921 IPC/JPCA印刷电子基材(基板)要求

47 IPC-6010 印制板鉴定与性能系列标准

48 IPC-6011 印制板通用性能规范

49 IPC-6012D 刚性印制板鉴定与性能规范

50 IPC-6013C 挠性印制板的鉴定及性能规范

51 IPC-6015 有机多芯片模块(MCM-L)安装与互连
结构鉴定与性能规范

52 IPC-6016 高密互连板的资格认证及检验规范

53 IPC-6017 该标准对现有的IPC-6010系列规范作了补
充,提供含有埋入式无源电路(分布式电容
层和电容或电阻元件)的制程中和成品印制
板的鉴定与性能规范

54 IPC-6018B 高频(微波)印制板鉴定与性能规范

55 IPC-6901 IPC/JPCA印刷电子应用分类

56 IPC-6903 T印刷电子(附加电路)设计与制造术语
及定义

57 IPC-7092 埋入式元器件的设计与组装工艺实施

58 IPC-7093 底部端子元器件(BTC)设计和组装工艺的实施

59 IPC-7094 倒装芯片及芯片级元器件的设计及组装
工艺实施

60 IPC-7095 C BGA设计及组装工艺实施

61 IPC-7251 PCB板通孔焊盘制作标准

62 IPC-7525B 模板设计指导

63 IPC-7526 模板和错印板的清洗手册

64 IPC-7527 焊膏印刷要求

65 IPC-7530 波峰焊回流焊接工艺温度曲线指南

66 IPC-7535CN 帮助你们有效改善锡渣

67 IPC-7711/21B ★★ 电子组件的返工返修

68 IPC-9121 印制板制造工艺疑难解答

69 IPC-9201 表面绝缘电阻手册

70 IPC-9252A 未组装印制板电气测试要求

71 IPC-9261 为PCAs的DPMO过程和估计产量

72 IPC-9592 计算机和通信行业用电源转换设备的
要求

73 IPC-9691A IPC-TM-650 测试方法2.6.25 耐导电阳极丝(CAF)测试(电化学迁移测试)用户指南

74 IPC-9701A 表面贴装焊接连接的性能测试方法及鉴定要求

75 IPC-9702 板极互连的单向弯曲特性描述

76 IPC-9704A 印制板应变测试指南

77 IPC-9708 鉴定印制板组件焊盘坑裂的测试方法

78 IPC-9851 SMEMA标准机械设备接口标准

79 IPC-A-600H ★★ 印制板的可接受性

80 IPC-A-610F ★★ 电子组件的可接受性

81 IPC-A-620B★★ 线缆线束的设计及关键工艺要求、验收

IPC-A-630★★ 电子产品整机的制造、检验和测试的可
接受性标准

IPC-A-640 光纤、光缆和混合线束组件的验收要求

82 IPC-AJ-820 组装与连接手册

83 IPC-CC-110A 为多层印制电路板应用选择核心建筑的指南被IPC-4121取代

84 IPC-CC-830B 印制线路组件用电气绝缘化合物的鉴定及性能

85 IPC-CH-65B 印制板及组件清洗指南

86 IPC-D-279 高可靠表面安装印制板组装件技术设计导则

87 IPC-D-371A 采用高速技术电子封装设计导则

88 IPC-HDBK-001★ J-STD-001补充手册与指南

89 IPC-HDBK-005 焊膏评估指南

90 IPC-HDBK-610 IPC-A-610的手册和指南

91 IPC-HDBK-630 电子产品整机的制造、检验和测试的可
接受性标准手册

92 IPC-HDBK-830 敷形涂覆的设计、选择和应用指南

93 IPC-HDBK-840 阻焊膜手册

94 IPC-HDBK-850 印制板组装灌封材料和封装工艺的设
计、选择和应用指南

95 IPC-PE-740A 印制板制造和组装的故障排除

96 IPC-QE-605A 印制板质量评价

97 IPC-S-816 表面安装技术过程导则及检验表

98 IPC-SM-780 外部贴装的元件封装和互连重点

99 IPC-SM-782A 元件封装制作标准

100 IPC-SM-785 表面安装焊接件加速可靠性试验导则

101 IPC-SM-817A 表面贴装用绝缘粘合剂通用规范

102 IPC-SM-840E 永久性阻焊剂和挠性覆盖材料的鉴定和性能规范

103 IPC-SPVC-WP-006 轮转法测试和分析无铅合金锡、银和铜

104 IPC-T-50 电子电路互连与封装术语及定义

105 IPC-TM-650★ 测试方法手册

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