znbtc薄膜可以稱為

『壹』 薄膜電容耐久性測試為什麼容量會降低

臭氧是一種不穩定的氣體薄膜電容器的容量大小取決於薄膜金屬層面積的大小，所以容量的下降主要就是金屬鍍層受外界因素影響，空氣在電場作用下，有可能被電離。空氣電離後產生臭氧，常溫下自行分解為氧。金屬化薄膜的金屬鍍層（成份為Zn/Al）遇到臭氧分解的氧後立即氧化，是一種強氧化劑，低濃度下可瞬間完成氧化作用，生成透明不導電的金屬氧化物ZnO和Al2O3，實際表現為極板面積減小，電容器容量下降。因此消除或減少膜層間的空氣，可以減緩電容量衰減。
當膜層間的空氣被外界水份侵入時，空氣的擊穿電位會降低，加快空氣電離，產生大量的臭氧，氧化金屬化薄膜的金屬鍍層，電容器的容量會迅速下降，面積減少而產生的。
在電容器製作過程中，膜層之間存在微量的空氣，且較難完全消除。電容器工作時

『貳』 太陽能薄膜電池發電原理

一、太陽能電池的原理

太陽光照在半導體p-n結上，形成新的空穴-電子對，在p-n結電場的作用下，空穴由n區流向p區，電子由p區流向n區，接通電路後就形成電流。這就是光電效應太陽能電池的工作原理。

太陽能發電方式太陽能發電有兩種方式

一種是光—熱—電轉換方式，另一種是光—電直接轉換方式。

二、太陽能電池的分類
太陽能電池按結晶狀態可分為結晶系薄膜式和非結晶系薄膜式(以下表示為a-)兩大類，而前者又分為單結晶形和多結晶形。

按材料可分為硅薄膜形、化合物半導體薄膜形和有機膜形，而化合物半導體薄膜形又分為非結晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族(Cds系)和磷化鋅 (Zn 3 p 2 )等。

太陽能電池根據所用材料的不同，太陽能電池還可分為：硅太陽能電池、多元化合物薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池、納米晶太陽能電池四大類，其中硅太陽能電池是目前發展最成熟的，在應用中居主導地位。

（1） 硅太陽能電池

硅太陽能電池分為單晶硅太陽能電池、多晶硅薄膜太陽能電池和非晶硅薄膜太陽能電池三種。
（2） 多元化合物薄膜太陽能電池

多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽，其主要包括砷化鎵III-V族化合物、硫化鎘、硫化鎘及銅錮硒薄膜電池等。
（3） 聚合物多層修飾電極型太陽能電池

以有機聚合物代替無機材料是剛剛開始的一個太陽能電池製造的研究方向。由於有機材料柔性好，製作容易，材料來源廣泛，成本底等優勢，從而對大規模利用太陽能，提供廉價電能具有重要意義。但以有機材料制備太陽能電池的研究僅僅剛開始，不論是使用壽命，還是電池效率都不能和無機材料特別是硅電池相比。能否發展成為具有實用意義的產品，還有待於進一步研究探索。

（4） 納米晶太陽能電池

納米TiO2晶體化學能太陽能電池是新近發展的，優點在於它廉價的成本和簡單的工藝及穩定的性能。其光電效率穩定在10％以上，製作成本僅為硅太陽電池的1/5～1/10．壽命能達到2O年以上。

『叄』 什麼是機械鍵盤、薄膜鍵盤

機械鍵盤技術詳解
機械鍵盤，並不能從手感、聲音等主觀感受來確定，還是要從結構來定義機械鍵盤，每一顆按鍵都有一個單獨的Switch（也就是開關）來控制閉合，這個開關也被稱為「軸」。雖然Cherry機械軸最為著名，但是除它之外，市場還有其它品牌的機械軸，包括早期日產ALPS軸、台灣ALPS簡易軸、台灣白軸等。
其實，在鍵盤出現的早期就已經出現了機械鍵盤，曾經經歷過一段繁榮時期，比如早期的伺服器上曾配備的就是機械鍵盤。隨後很快被物美價廉的薄膜鍵盤所替代，但是機械鍵盤並沒有消失，一直作為高端產品的代表發展到今天，機械鍵盤本身的特性是無法被淹沒的，所以當機械鍵盤經歷了繁榮、沒落之後，如今的現狀是，越來越多電腦使用者和游戲玩家，對使用電腦的舒適度、手感、品質提出了更高的要求，作為外設之一的鍵盤也出現了一些變化，機械鍵盤不再是發燒友的最愛，開始被越來越多追求品質和手感的朋友所認可。
機械鍵盤地域之分
中國雖然地大物博，但是機械鍵盤最早並不是來自中國。首先來看大家最熟悉得Cherry，一個來自德國的品牌，1953年成立至今，在美國及世界各地建立了12個公司及工廠。Cherry在市場主流的機械鍵盤主要產自德國和捷克這兩個機械製造業非常發達的國家。
提起日本，可能鍵盤發燒友最先想到的是Realforce101靜電式鍵盤，它有著與機械鍵盤壽命高、手感好等共同特點，很容易混淆被認為是機械鍵盤，雖然其原理與機械鍵盤完全不同，但是作為高端鍵盤的一類，特意在此提及。
除此之外，ALPS軸機械鍵盤最早也是來自日本，雖然早已停產，後來經過台灣廠商的改進形成ALPS軸和簡易ALPS軸鍵盤，但其根源還是來自日本。
台灣，被譽為「寶島」，在外設領域中，可能大家更熟悉四大鍵盤OEM廠商，分別是旭麗SILITEK、群光CHICONY、英群BTC、美蓓亞NMB，承接微軟、羅技、IBM、HP等世界知名品牌的鍵盤OEM製造。但是這四大代工廠並的機械鍵盤非常罕見。那麼眾多產自台灣的機械鍵盤是由哪家工廠生產呢？
那就是備受爭議的笙春，從來自丹麥的Steel 6G、6G2代、台灣jazzykit到日本filco的產品等，就是由笙春代工的，都曾經出現過一定的問題，所以這些產品曾經飽受玩家爭論。jAKi JD002就是jazzykit JD001的後續產品，雖然更換了代工廠，但仍然產自台灣。所以台灣是機械鍵盤的另一個盛產之地。
解析機械軸
作為機械鍵盤的核心組建，Cherry MX機械軸僅僅是作為機械軸的代表，除此之外，還包括Cherry ML機械軸、ALPS機械軸、台灣白軸（非常罕見）等三類軸。首先給大家分別介紹一下這些軸的來歷和特點。
Cherry MX機械軸被公認為是最經典的機械鍵盤開關，特殊的手感和黃金觸點使其品質倍增，而MX系列機械軸應用在鍵盤上的主要有4種，通過軸帽顏色可以辨別，分別是青、茶、黑、白，手感相差很大，可以滿足不同用戶各種需求。從結構上來看，MX軸分單柱底座結構和三柱底座結構的，就是在軸的底部，有些軸是單柱結構，有些軸是三柱結構。後者在PCB電路板上可以保證更加穩定。從軸的內部導線來分，有些軸內部導線有二極體，而有些軸內部導線沒有，比如Cherry 1865就採用了有二級管導線的茶軸，這類軸成本較高。再從是否設計有LED燈可將MX軸分為有燈和無燈兩類，絢麗多彩的DECK發光鍵盤和某些可發光的特殊按鍵就是採用這種機械軸。將Cherry MX機械軸拆解之後，大家可以看到它的結構和組成部分，底座、軸帽（以它的顏色來分辨軸的類型）、軸帽固定卡、彈簧、金屬支腳、觸點金屬片。如果是有LED燈的軸，還有LED燈。而MX機械軸的不同之處主要來自軸帽的結構和彈簧的長度和圈數。 青軸與綠軸的軸帽是獨特的雙層結構，這也是這兩種軸最具機械特性的一個因素。其餘所有軸帽都是一體結構，但是開關帽與金屬片接觸的凸起部分並不相同，這是除彈簧之外影響手感的另一個主要因素。
Cherry MX系列機械軸解析
機械鍵盤的手感特殊，但是到底特殊在哪裡呢？能否用語言來形容大家常見的Cherry青、黑、茶、白四種機械軸的手感呢？其實，手感本來就是一個非常主觀的因素，由於每個人的使用習慣、對手感的理解、個人偏好、使用經歷等因素的不同，每個人都會對鍵盤的手感產生不一樣的理解。影響機械鍵盤手感的主要因素包括機械軸的種類、鍵帽的材質和工藝、整體做工三個方面，而影響手感最直接的因素就是機械軸的不同。
如果大家體驗過Cherry青、茶、白、黑四種機械軸的鍵盤，其在手感的區別在段落感、觸發鍵程、壓力克數三方面上最容易感覺到不同，段落感是對鍵盤按鍵下按過程中發出「Click」聲作為評判標准，觸發鍵程是下壓按鍵時觸發開關所需的最小距離，而壓力克數就是在按下按鍵時所需要的力度。而決定這兩個因素的不同是由機械軸內部結構的不同和彈簧來決定的，在上文機械軸的介紹中，有相關介紹。所以，我們可以通過不同機械軸的感覺來描述鍵盤的手感。
就是薄膜鍵盤還不太清楚

『肆』 btc鍵盤所有F鍵都不好使,怎麼辦

鍵位沖突!

換鍵位.不過有的鍵盤再怎麼換還是沖突的,只有換鍵盤了,這是一點辦法也沒有的.
建議不要買很高級的鍵盤,通常越高級就越容易沖突,特別別買微軟的,必鎖!

附:以下是資料
什麼是鍵位沖突

首先我們還是了解一下什麼叫做鍵位沖突吧，鍵位沖突是至今一個成品鍵盤無法迴避的問題。簡單的舉個例子，當我們在電腦操作中同時按下Ctrl＋Alt＋Del的時候，電腦只識別按下了Ctrl＋Alt，而是別不了DEL，這個就叫做鍵位沖突。當然這個問題是不可能發生的，符合WINDOWS標準的鍵盤，其他鍵位是否能夠正常的識別組合不重要，重要的是這三個組合必須要沒有鍵位沖突才可以出廠，不然不能重啟動的鍵盤誰會要哦。

對於鍵位沖突我們是這么定義的：當在操作鍵盤的過程中，同時按下兩到三個鍵的時候，鍵盤卻只能正確的識別前兩個鍵，對第三或者第四個按鍵完全沒有響應。然而這些問題往往都存在與游戲當中，而對於WINDOWS的組合快捷鍵是不太可能存在沖突的。

對於鍵位沖突一般大家的心態分為兩種，一種根本不關注鍵位沖突，甚至根本不了解，比如他在玩KOF的時候，發現對手可以通過鍵盤操作放出XX必殺技，可是自己怎麼嫻熟的操作都不能完成這個動作，這個時候悔之晚矣。

而另一種則是非常痴迷於游戲的超級發燒FANS，他們一直在苦苦尋找「沒有鍵位沖突」的游戲極品，如同武林高手瘋狂的找尋武功秘技一樣。由於偏好的關系他們對鍵位沖突的核心問題並沒有非常清楚的了解，以至於稀里糊塗的找尋自己烏托邦式的夢想。

我們都清楚，現在的鍵盤技術採用的是非編碼的薄膜接觸式結構，這樣的構造是任何一個按鍵都有上下兩層薄膜的觸點，我們將鍵盤拆開後，就會發現在任何一層薄膜上，導線數都遠少於按鍵數，而且每一條導線都同時連通多個按鍵的觸點，而且，上層和下層的任何兩條導線都最多隻在一個按鍵上重合。也就是說，上層的1號導線可能會同時經過1、2、3、4、5等鍵，而下層的1號導線可能同時經過1、Q、A、Z等按鍵，且兩條導線只在1鍵上重合。

這樣，根據上層薄膜和下層薄膜所經過的按鍵，就可以排出一個類似下面的表格：

上層導線 1
上層導線 2
上層導線 3
上層導線 4
上層導線 5
……

下層導線 1
1
2
3
4
5
……

下層導線 2
Q
W
E
R
T
……

下層導線 3
A
S
D
F
G
……

下層導線 4
Z
X
C
V
B
……

……
……
……
……
……
……
……

沒一個鍵盤的處理晶元中都會有類似這樣原理的一張表，而設計者為了減少鍵位沖突也是都絞盡腦汁的去修改鍵盤的線路排列和資料表格，盡量讓常用的游戲，快捷鍵不互相沖突，但這是使盡可能的減少，絕對不是完全消除。現在大家理解為什麼我們用熱啟動的Ctrl－Alt－Del不會出現沖突？四個方向按鍵不會沖突的原因了吧？人而人算不如天算，就偏偏會有一些鍵盤撞到了游戲的槍眼上，這樣就導致了鍵位沖突。所以說沒有鍵位沖突的鍵盤在現在的鍵盤設計中是不可能存在的，如果有廠家宣傳他的鍵盤（至今來說）沒有鍵位沖突，如果不是反樸歸真，就是相當的荒謬的。

總結：

1．如這一段中所說，鍵盤的鍵位沖突是根據設計者設計晶元數據的巧妙性所掛鉤的，也就是說鍵盤在使用不相同型號，品牌的集成塊（也算是鍵盤的CPU了）時，鍵位所沖突的地方也不會完全一樣。

2．對於非編碼結構的鍵盤來說不不存在鍵位沖突是絕對的不可能。其中解決辦法只能是游戲廠商，鍵盤製造商，相互協調，盡量避免鍵位沖突的出現。所以前面說那種狂熱游戲FANS的想法是比較烏托邦的。

選擇「沒有鍵位沖突」的鍵盤

大家一定覺得奇怪，為什麼我之前說現在的鍵盤不可能迴避鍵位沖突，現在又說可以找到「沒有鍵位沖突」的鍵盤呢？這個不是自相矛盾么？其實我的這個說法是相對的同時也幫助大家更好的正視「鍵位沖突」，做到取其精華，去其糟粕。與DIY一樣，合適就是最好的。雖然如此，但是這部分不會和以往的鍵盤選購文章相同（具體看到後面就知道拉），我所告訴大家的是如何選擇稱心如意的鍵盤，也就是不會影響到自己日常習慣，游戲愛好的鍵盤。

我們通常都喜歡在電腦城購物，但是大家都知道，電腦城購買產品雖然可以當場試試有沒有大問題出現。但絕對不會讓你當場玩游戲進行測試吧？就算你說你買了鍵盤要玩玩游戲，商家也都會覺得你比較奇怪。如果剛巧碰上了商家的電腦里沒有你需要的游戲怎麼辦？難道現場安裝么？

我現在給大家介紹一款測試鍵盤的軟體，它不光能測試鍵盤是否有鍵位沖突，同時還可以檢測到鍵盤每個鍵的靈敏程度，它是由PassMark軟體公司所出品的一款鍵盤測試軟體Keyborad Test，這款軟體界面相當的簡潔直觀，並且體積相當的小巧只有1M不到。大家也不用操心移動問題了，就是磁碟也都容納的下。但是唯一不爽的是，它是一款共享軟體。

下載地址是：http://www.passmark.com/ftp/keytest.exe

開啟這個軟體之後，跳過一個注冊頁面，軟體的界面就顯示出來了。我們測試鍵盤的時候，按下需要測試的按鍵，不管你按幾個。如果這個按鍵有反映則會變成紅色，使用過的鍵被標為綠色也就是圖中的A區域，而圖中的B區域則是以文字的方式顯示你按下去的按鍵所反映出來的字母。這個軟體還有一個比較實用的功能，就是測試鍵盤理論平均可以打字的數量（半形英文）也就是C區域的地方拉。通過這個軟體鍵盤有什麼缺陷我們可以一覽無遺。

鍵位沖突較小的鍵盤

其實這一段本不想寫，因為需要得罪國內的一些廠商了。我們既然知道了鍵盤不可能沒有鍵位沖突。那麼到底最適合大眾的是什麼鍵盤呢？因為我也不是神，不是所有的按鍵習慣都符合讀者的口味，所以我這里簡單說一下比較有突出性能的鍵盤。

在我把玩鍵盤這么多年的日子裡發現了一個很奇怪的問題，這也是我至今不能理解的並且總結出來了一個理論。我先提出來一個問題大家看看了，為什麼鍵位沖突至今才被拿出檯面？細心的朋友估計都有所察覺，這不光是近年來FPS游戲火爆所導致，還有一部分原因就是大家都開始使用高檔的鍵盤了（基本逃不了國際幾大大鍵盤代工廠的產品 SK，BTC…）似乎以前大家都在用質量低劣的鍵盤時都對這個問題覺得無關緊要。

總結之後就能發現一個很奇怪的定律：越是價格、質量低廉的產品，玩游戲越是爽。反而那些高高在上的鍵盤都或多或少的有明顯的鍵位沖突，鍵位沖突最為出名的就是ELITE了，沖突的令人莫名其妙，甚至方向鍵都有沖突。可能是老天作弄人吧，既然鍵位沖突與手感不能完全意義上的兩權，但我們又決不向垃圾低頭。我們要手感，同時也要較不影響大局好鍵盤。

由於我們玩的這個超強另類無敵好玩的游戲的特殊性,我們的評判標准不能和那些玩魔獸,CS等自以為自己對鍵盤很懂的人用一個標准.我是上了當了,買的明基上個月剛出來的新品貝殼鍵盤,回家居然發現我能適應的O2鍵位設置方法全部鍵位沖突,無法游戲.因為鍵盤本身沒有質量問題,故我只能重新購買一個鍵盤--! 這次我做足了充分准備,帶了個測試軟體測試了一下午的鍵盤,關於鍵盤沖突,我做以下總結:

USB介面的不能購買,多媒體鍵盤不能購買,PS/2介面的小部分不能購買

就是說做為O2jam玩家,我們最好考慮購買PS/2介面的鍵盤,購買時要自帶測試軟體,確定無鍵位沖突後就可以購買了.測試軟體的使用方法:打開然後同時按下游戲中需要使用的7個按鍵,如果軟體顯示這7個鍵全部為紅色的話那麼說明這7個鍵不互相沖突,此鍵盤玩O2jam是理想的.這個軟體你按過的鍵全部顯示為綠色,用來測試鍵盤有無壞鍵.這個鍵盤測試軟體名字叫:keytest。

除了這個問題,對於O2jam玩家來說,我個人覺得挑選鍵盤還應該注意:
1.鍵盤彈性要好.這個你在購買時自己按按感覺下就可以了
2.鍵盤上面的字要是激光雕刻,不然經過O2jam的洗禮不久鍵盤上面的字就模糊了.這個主要看字印的凹凸感怎麼樣,凹凸感強的為好
3.鍵盤按鍵鍵程要短.這個鍵程越短按鍵反應時間就越快,像X架構的按鍵在這方面的表現就比較出色.一般來說筆記本鍵盤用的都是X架構。

那麼再說說X架構：從按鍵行程上來看，台式機鍵帽的按鍵行程平均為3.8-4.0毫米，筆記本電腦鍵帽的按鍵行程平均為2.50-3.0毫米，而"X架構"鍵盤保持了台式機鍵帽的優點，按鍵行程平均為3.5-3.8毫米，手感舒適。當分別測試鍵帽左上角、右上角、左下角、右下角以及按鍵中心五個部位的敲擊力道時發現，傳統鍵盤敲擊力道大而且不均衡，而"X架構"鍵盤的敲擊力道小而且相當均衡。也就是說，當我們敲擊"X架構"鍵盤時費力較小，不宜疲勞，而且作用力平均分布在鍵帽的各個部分，手感更加舒適。

剪刀腳與「X架構」
筆記本鍵盤採用的結構稱之為「剪刀腳」結構。因為筆記本鍵盤要求的厚度很薄，無法使用單軌直滑式結構。所以，筆記本鍵盤就使用了如圖所示的設計結構。將橡膠彈簧的尺寸縮小，使用專用的支架來承擔按鍵的壓力並保持按鍵的平衡。
剪刀腳結構很好的解決了單軌直滑結構尺寸大和易卡住的問題，但是由於剪刀腳結構的鍵行程很小，所以雖然有利於減小鍵盤的厚度，但手指受到的沖擊力很大，不利於提高鍵盤的手感。
為了解決這個問題，IBM在設計經典的TP600系列筆記本的時候，找到了在筆記本鍵盤製造上最有經驗的明基公司合作，隨之明基設計出了後來稱之為「X架構」的新式鍵盤結構，從示意圖中可以看出來，「X架構」實質上是剪刀腳結構的一種變形，通過把剪刀腳延長，形成「X」型的支架，一方面加大了按鍵的行程，另一方面增強了按鍵的穩定性，使得同時保留了單軌直滑和剪刀腳兩種結構的優點。IBM筆記本鍵盤的手感長期被用戶稱道，和「X」架構的使用密不可分。

「X架構」主要為剪刀腳工作原理，運用兩組平行四連桿機構，以強迫運動方式運動，讓使用者無論是按觸鍵帽中心或者四個角落時，都能享受到順暢及一致的手感。相比之下，普通的台式機鍵盤，手指若是落在鍵帽的四個角落與落在鍵帽的正中間，所耗費的力道是完全不同的，這樣就會造成敲擊鍵盤時的手感很不一致。據大量試驗結果統計分析表明，傳統的台式機鍵盤在敲擊時所耗費的力道要比「X架構」高5～12倍。
參考資料：http://..com/question/10596957.html

『伍』 各類太陽能電池板的優缺點

太陽能電池的分類
太陽能電池按結晶狀態可分為結晶系薄膜式和非結晶系薄膜式(以下表示為a-)兩大類，而前者又分為單結晶形和多結晶形。
按材料可分為硅薄膜形、化合物半導體薄膜形和有機膜形，而化合物半導體薄膜形又分為非結晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族(Cds系)和磷化鋅 (Zn 3 p 2 )等。
太陽能電池根據所用材料的不同，太陽能電池還可分為：硅太陽能電池、多元化合物薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池、納米晶太陽能電池、有機太陽能電池，其中硅太陽能電池是目前發展最成熟的，在應用中居主導地位。
（1）硅太陽能電池
硅太陽能電池分為單晶硅太陽能電池、多晶硅薄膜太陽能電池和非晶硅薄膜太陽能電池三種。
單晶硅太陽能電池轉換效率最高，技術也最為成熟。在實驗室里最高的轉換效率為24.7%，規模生產時的效率為15%。在大規模應用和工業生產中仍占據主導地位，但由於單晶硅成本價格高，大幅度降低其成本很困難，為了節省硅材料，發展了多晶硅薄膜和非晶硅薄膜做為單晶硅太陽能電池的替代產品。
多晶硅薄膜太陽能電池與單晶硅比較,成本低廉，而效率高於非晶硅薄膜電池，其實驗室最高轉換效率為18%,工業規模生產的轉換效率為10%。因此，多晶硅薄膜電池不久將會在太陽能電地市場上占據主導地位。
非晶硅薄膜太陽能電池成本低重量輕，轉換效率較高，便於大規模生產，有極大的潛力。但受制於其材料引發的光電效率衰退效應，穩定性不高，直接影響了它的實際應用。如果能進一步解決穩定性問題及提高轉換率問題，那麼，非晶硅大陽能電池無疑是太陽能電池的主要發展產品之一。
（2）多元化合物薄膜太陽能電池
多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽，其主要包括砷化鎵III-V族化合物、硫化鎘、硫化鎘及銅錮硒薄膜電池等。
硫化鎘、碲化鎘多晶薄膜電池的效率較非晶硅薄膜太陽能電池效率高，成本較單晶硅電池低，並且也易於大規模生產，但由於鎘有劇毒，會對環境造成嚴重的污染，因此，並不是晶體硅太陽能電池最理想的替代產品。
砷化鎵（GaAs）III-V化合物電池的轉換效率可達28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光學帶隙以及較高的吸收效率,抗輻照能力強,對熱不敏感，適合於製造高效單結電池。但是GaAs材料的價格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs電池的普及。
銅銦硒薄膜電池（簡稱CIS）適合光電轉換，不存在光致衰退問題，轉換效率和多晶硅一樣。具有價格低廉、性能良好和工藝簡單等優點，將成為今後發展太陽能電池的一個重要方向。唯一的問題是材料的來源，由於銦和硒都是比較稀有的元素，因此，這類電池的發展又必然受到限制。
（3）聚合物多層修飾電極型太陽能電池
以有機聚合物代替無機材料是剛剛開始的一個太陽能電池製造的研究方向。由於有機材料柔性好，製作容易，材料來源廣泛，成本底等優勢，從而對大規模利用太陽能，提供廉價電能具有重要意義。但以有機材料制備太陽能電池的研究僅僅剛開始，不論是使用壽命，還是電池效率都不能和無機材料特別是硅電池相比。能否發展成為具有實用意義的產品，還有待於進一步研究探索。
（4）納米晶太陽能電池
納米TiO2晶體化學能太陽能電池是新近發展的，優點在於它廉價的成本和簡單的工藝及穩定的性能。其光電效率穩定在10％以上，製作成本僅為硅太陽電池的1/5～1/10．壽命能達到2O年以上。
但由於此類電池的研究和開發剛剛起步，估計不久的將來會逐步走上市場。
（5）有機太陽能電池
有機太陽能電池，顧名思義，就是由有機材料構成核心部分的太陽能電池。大家對有機太陽能電池不熟悉，這是情理中的事。如今量產的太陽能電池裡，95％以上是硅基的，而剩下的不到5％也是由其它無機材料製成的。

『陸』 薄膜的應用參數

三氧化二釔
名稱：釔（Y）
三氧化二釔，（Y2O3）使用電子槍蒸鍍，該材料性能隨膜厚而變化，在500nm時折射率約為1.8，用作鋁保護膜極其受歡迎，特別相對於800-12000nm區域高入射角而言，可用作眼鏡保護膜，且24小時暴露於濕氣中，一般為顆粒狀和片狀。
透光范圍（nm) 折射率（N) 500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 蒸氣成分
250--8000 1.79 2300--2500 電子槍 防反膜，鋁保護膜 名稱：二氧化鈰（CeO2）
使用高密度的鎢舟皿（較早使用）蒸發，在200℃的基板上蒸著二氧化鈰，得到一個約為2.2的折射率，在大約3000nm有一吸收帶其折射率隨基板溫度的變化而發生顯著變化，在300℃基板500nm區域折射率為2.45，在波長短過400nm時有吸收，傳統方法蒸發缺乏緊密性，用氧離子助鍍可取得n=2.35（500nm）的低吸收性薄膜，一般為顆粒狀，還可用一增透膜和濾光片等。
透光范圍（nm) 折射率（N) 500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
400--16000 2.35 約2000 電子槍 防反膜， 多
名稱：氧化鎂（MgO)
必須使用電子槍蒸發因該材料升華，堅硬耐久且有良好的紫外線（UV）穿透性，250nm時n=1.86，190nm時n=2.06， 166nm時K值為0.1， n=2.65。可用作紫外線薄膜材料。MGO/MGF2膜堆從200nm---400nm區域透過性良好，但膜層被限制在60層以內（由於膜應力）500nm時環境基板上得到n=1.70。由於大氣CO2的干擾，MGO暴露表面形成一模糊的淺藍的散射表層，可成功使用傳統的MHL折射率3層AR膜（MgO/CeO2/MgF2）。 名稱：硫化鋅（ZnS)
折射率為2.35,400-13000nm的透光范圍，具有良好的應力和良好的環境耐久性， ZnS在高溫蒸著時極易升華，這樣在需要的膜層附著之前它先在基板上形成一無吸附性膜層，因此需要徹底清爐，並且在最高溫度下烘乾，花數小時才能把鋅的不良效果消除.HASS等人稱紫外線（UV）對ZNS有較大的影響，由於紫外線在大氣中導致15-20nm厚的硫化鋅膜層完全轉變成氧化鋅(ZNO）。
透光范圍（nm) 折射率（N) 550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 方式
400--14000 2.35 1000--1100 電子槍，鉭鉬舟 防反膜， 升華
應有：分光膜，冷光膜，裝飾膜，濾光片，高反膜，紅外膜. 名稱：二氧化鈦（TiO₂)
TiO₂由於它的高折射率和相對堅固性，人們喜歡把這種高折射率材料用於可見光和近紅外線區域,但是它本身又難以得到一個穩定的結果.TiO₂,Ti2O3. TiO,Ti，這些原材料氧-鈦原子的模擬比率分別為：2.0,1.67,1.5,1.0,0. 後發現比率為1.67的材料比較穩定並且大約在550nm生成一個重復性折射率為2.21的堅固的膜層，比率為2的材料第一層產生一個大約2.06的折射率，後面的膜層折射率接近於2.21.比率為1.0的材料需要7個膜層將折射率2.38降到2.21.這幾種膜料都無吸收性，幾乎每一個TiO2蒸著遵循一個原則：在可使用的光譜區內取得可以忽略的 吸收性，這樣可以降低氧氣壓力的限制以及溫度和蒸著速度的限制.TiO2需要使用IAD助鍍，氧氣輸入口在擋板下面.
Ti3O5比其它類型的氧化物貴一些，可是很多人認為這種材料不穩定性的風險要小一些，PULKER等人指出，最後的折射率與無吸收性是隨著氧氣壓力和蒸著溫度而改變的，基板溫度高則得到高的折射率.例如，基板板溫度為400℃時在550納米波長得到的折射率為2.63，可是由於別的原因，高溫蒸著通常是不受歡迎的，而離子助鍍已成為一個普遍採用的方法其在低溫甚至在室溫時就可以得到比較高的折射，通常需要提供足夠的氧氣以避免（因為有吸收則降低透過率），但是可能也需要降低吸收而增大鐳射損壞臨界值（LDT).TiO2的折射率與真空度和蒸發速度有很大的關系，但是經過充分預熔和IAD助鍍可以解決這一難題，所以在可見光和近紅外線光譜中，TiO2很受到人們的歡迎. 在IAD助鍍TiO2時，使用屏蔽柵式離子源蒸發則需要200EV，而用無屏蔽柵式離子源蒸發時則需要333EV或者更少一些，在那裡平均能量估計大約是驅動電壓的60%，如果離子能量超過以上數值，TiO2將有吸收.而SiO2有電子槍蒸發可以提供600EV碰撞（離子輻射）能量而沒有什麼不良效應. TiO2/SiO2製程中都使用300EV的驅動電壓，目的是在兩種材料中都使用無柵極離子源，這樣避免每一層都改變驅動電壓，驅動電壓高低的選擇取決於TiO2所允許的范圍，而蒸著速度的高低取決於完全緻密且無吸收膜所允許之范圍. TiO₂用於防反膜，分光膜，冷光膜，濾光片，高反膜,眼鏡膜，熱反射鏡等，黑色顆粒狀和白色片狀，熔點：1175℃
透光范圍（nm) 折射率（N) 500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
400--12000 2.35 2000-2200 電子槍，防反膜，增透 多
TiO2用於防反膜，裝飾膜，濾光片，高反膜
Ti2O3用於防反膜 濾光片 高反膜 眼鏡膜 名稱：氟化釷（ThF4）
260-12000nm以上的光譜區域，是一種優秀的低折射率材料，然而存在放射性，在可視光譜區N從 1.52降到1.38（1000nm區域）在短波長趨近於1.6，蒸發溫度比MGF2低一些，通常使用帶有凹罩的舟皿以免THF4良性顆粒火星飛濺出去，而且形成的薄膜似乎比MGF2薄膜更加堅固.該膜在IR光譜區300NM小水帶幾乎沒有吸收，這意味著有望得到一個低的光譜移位以及更大的整體堅固性，在8000到12000NM完全沒有材料可以替代. 名稱： 二氧化硅（SiO2）
經驗告訴我們，氧離子助鍍（IAD)SiO將是SiO2薄膜可再現性問題的一個解決方法，並且能在生產環境中以一個可以接受的高速度蒸著薄膜.
SiO2薄膜如果壓力過大，薄膜將有氣孔並且易碎，相反壓力過低薄膜將有吸收並且折射率變大，需要充分提供高能離子或氧離子以便得到合乎需要的速度和特性，必要是需要氧氣和氬氣混合充氣，但是這是熱鍍的情況，冷鍍時這種性況不存在.
SiO2用於防反膜，冷光膜，濾光片，絕緣膜，眼鏡膜，紫外膜.
透光范圍（nm) 折射率（N) 550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
200--2000 1.46 1800-2200 電子槍，防反膜，增透 少，升華
無色顆粒狀，折射率穩定，放氣量少,和OS-10等高折射率材料組合制備截止膜，濾光片等. 名稱： 一氧化硅（SiO)
透光范圍（nm) 折射率（N) 550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
600--8000 1.55 at550nm1.8at1000nm1.6at7000nm 1200-1600 電子槍，鉭鉬舟 冷光膜裝飾膜保護膜，升華
製程特性：棕褐色粉狀或細塊狀.
熔點較低，可用鉬舟或鈦舟蒸發，但需要加蓋舟因為此種材料受熱直接升華.
使用電子槍加熱時不能將電子束直接打在材料上而採用間接加熱法.
制備塑料鏡片時，一般第一層是SiO，可以增加膜的附著力.
名稱：OH-5(TiO2+ZrO2）
透光范圍（nm) 折射率（N)
550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
300--8000 2.1 約2400 電子槍，
增透 一般
蒸氣成分為：ZrO,O2,TiO,TiO2
呈褐色塊狀或柱狀
尼康公司開發之專門加TS--ェート系列抗反射材料，折射率受真空度，蒸發速率，氧氣壓力的影響很大，蒸鍍時不加氧或加氧不充分時，制備薄膜會產生吸收現象，但是我們在實際應用時沒有加氧也比較好用. 名稱：二氧化鋯（ZrO2）
ZrO2具有堅硬，結實及不均勻之特性，該薄膜有是需要烘乾以便除去它的吸收，其材料的純度及為重要，純度不夠薄膜通常缺乏整體緻密性，它得益於適當使用IAD來增大它的折射率到疏鬆值以便克服它的不均勻性.純度達到99.99%基本上解決了以上的問題.SAINTY等人成功地使用ZRO2作為鋁膜和銀膜的保護膜，該膜層（指ZRO2）是在室溫基板上使用700EV氬離子助鍍而得到的.一般為白色柱狀或塊狀，蒸發分子為ZRO,O2.
透光范圍（nm) 折射率（N)
550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
320-7000 2.05
⒉0AT2000 約2500 電子槍，
增透，加硬膜
眼鏡膜保護膜 一般
製程特性：白色顆粒，柱狀，或塊狀，粉狀材料使用鎢舟或鉬舟.顆粒狀，粉狀材料排雜氣量較多，柱狀或塊狀較少.
真空度小於2*10-5Torr條件下蒸發可得到較穩定的折射率，真空度大於5*10-5Torr時蒸發，薄膜折射率逐漸變小。
蒸鍍時加入一定壓力的氧氣可以改善其材料之不均勻性。 名稱：氟化鎂（MgF2）
MGF2作為1/4波厚抗反射膜普遍使用來作玻璃光學薄膜，它難以或者相對難以溶解，而且有大約120NM真實 紫外線到大約7000nm的中部紅外線區域里透過性能良好。OLSEN，MCBRIDE等人指出從至少200NM到6000NM的區域里，2.75MM厚的單晶體MGF2是透明的，接著波長越長吸收性開始增大，在10000NM透過率降到大約2%，雖然在8000-12000NM區域作為厚膜具有較大的吸收性，但是可以在其頂部合用一薄膜作為保護層.
不使用IAD助鍍，其膜的硬度，耐久性及密度隨基板的溫度的改變而改變的.在室溫中蒸鍍，MGF2膜層通常被手指擦傷，具有比較高的濕度變化.在真空中大約N=1.32，堆積密度82%，使用300（℃）蒸鍍，其堆積密度將達到98%,N=1.39它的膜層能通過消除裝置的擦傷測試並且溫度變化低，在室溫與300（℃）之間，折射率與密度的變化幾乎成正比例的. 在玻璃上冷鍍MGF2加以IAD助鍍可以得到300（℃）同等的薄膜，但是125-150EV能量蒸鍍可是最適合的.在塑料上使用IAD蒸鍍幾乎強制獲得合理的附著力與硬度.經驗是MGF2不能與離子碰撞過於劇烈.
透光范圍（nm) 折射率（N)
550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
2000-7000 1.38
⒈35AT200 約1100 電子槍，
鉬鉭鎢舟 增透，加硬膜
眼鏡膜 少，MGF2
（MGF2）2
製程特性：折射率穩定，真空度和速率對其變化影響小
預熔不充分或蒸發電流過大易產生飛濺，造成鏡片木不良.在打開檔板後蒸發電流不要隨意加減，易飛濺.基片須加熱到高的張應力
白色顆粒狀，常用於抗反射膜，易吸潮.購買時應考慮其純度.
三氧化二鋁
名稱：三氧化二鋁（Al2O3）
普遍用於中間材料，該材料有很好的堆積密度並且在200-7000NM區域的透明帶，該製程是否需要加氧氣以試驗分析來確定，提高基板溫度可提高其折射率，在鍍膜程式不可理更改情況下，以調整蒸發速率和真空度來提高其折射率.
透光范圍（nm) 折射率（N)
550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
200-7000 1.63 2050 電子槍，增透，保護膜
眼鏡膜 一般，Al,O,
O2,AlO,Al2O,(AlO)2
製程特性：白色顆粒狀或塊狀，結晶顆粒狀等.
非結晶狀材料雜氣排放量高，結晶狀材料相對較少.
折射率受蒸著真空度和蒸發速率影響較大，真空不好即速率低則膜折射率變低；真空度好蒸發速率較快時，膜折射率相對增大，接近1.62
Al2O3蒸發時會產生少量的Al分子造成膜吸收現象，加入適當的O2時，可避免其吸收產生.但是加氧氣要注意不要影響到它的蒸發速率否則改變了它的折射率.
名稱：OS-10(TiO2+ZrO2）
透光范圍（nm) 折射率（N)
550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
250-7000 2.3 2050 電子槍，增透，濾光片，截止膜
一般，
製程特性：棕褐色顆粒狀. 雜氣排放較大，預熔不充分或真空度小於5*10-5Torr時蒸發，其折射率會比2.3小，幫必須充分預熔且蒸發真空度希望大於上述這數值.蒸發此種材料時宜控制衡定的蒸發速率，材料可添加重復使用，為減少雜氣排放量，盡量避免全數使用新材料.
蒸氣中的Ti和TiO和O2反應生成TiO2
常用於制備抗反射膜和SiO2疊加制備各種規格的截止膜系和濾光片等. 名稱：鍺（Ge)
稀有金屬，無毒無放射性，主要用於半導體工業，塑料工業，紅外光學器件，航天工業，光纖通訊等.透光范圍2000NM---14000NM,n=4甚至更大，937（℃）時熔化並且在電子槍中形成一種液體，然後在1400（℃）輕易蒸發.用電子槍蒸發時它的密度比整體堆積密度低，而用離子助鍍或者鐳射蒸鍍可以得到接近於鬆散密度.在鍺基板上與THF4制備幾十層的8000---12000NM帶通濾光片，如果容室溫度太高吸收將有重大變化，在240--280（℃）范圍內，在從非晶體到晶體轉變的過程中GE有一個臨界點. 名稱：鍺化鋅（ZnGe)
疏散的鍺化鋅具有一個比其相對較高的折射率，在500NM時N=2.6，在可見光譜區以及12000-14000NM區域具有較少的吸收性並且疏散的鍺化鋅沒有其材質那麼硬.使用鉭舟將其蒸發到150℃的基板上制備SI/ZnGe及ZnGe/LaF3膜層試圖獲到長波長IR漸低折射率的光學濾鏡. 名稱：氧化鉿（HfO2）
在150℃的基板上有用電子槍蒸著，折射率在2.0左右，用氧離子助鍍可能取和得2.05-2.1穩定的折射率，在8000-12000NM區HFO2用作鋁保護膜外層好過SIO2
透光范圍（nm) 折射率（N)
550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
230-7000 2.0 2350 電子槍，增透，高反膜
紫外膜 少
無色圓盤狀或灰色顆粒狀和片狀. 名稱：碲化鉛（PbTe）
是一種具有高折射率的IR材料，作為薄膜材料在3800---40000NM是透明的，在紅外區N=5.1-5.5，該材料升華，基板板溫度250℃是有益的，健康預防是必要的，在高達40000NM時使用效果很好，別的材料常常用在超過普通的14000NM紅外線邊緣. 名稱：鋁氟化物（AlF3）
可以在鉬中升華， 在190-1000NM區域有透過性，N=1.38，有些人聲稱已用在EⅪMER激光鏡，它無吸收性，在250-1000NM區域透過性良好.ALF3是冰晶石，是NaAlF4的一個組成部分，且多年來一直在使用，但是在未加以保護層時其耐久性還未為人知.
鈰（Ce）氟化物
名稱：鈰（Ce）氟化物
Hass等人研究GeF3，他們使用高密度的鎢舟蒸發發現在500NM時N=1.63，並且機械強度和化學強度令人滿意，他們指出在234NM和248NM的吸收最大，而在波長大過300NM時吸收可以忽略.FUJIWARA用鉬舟蒸發CEF3和CEO2混合物，得到一個1.60---2.13的合乎需要的具有合理重復性的折射率，他指出該材料的機械強度和化學強度都令人滿意.
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
300-5000 1.63 約1500 電子槍，
鉬鉭鎢舟 增透，
眼鏡 少 名稱：氟化鈣（CaF2）
CaF2是Heavens提出來的，它可以在10-4以上的壓力下蒸發獲得一個約為1.23---1.28的折射率。可是他說最終的膜層不那麼令人滿意，在室溫下蒸著氟化鈣其堆積密度大約為0.57，這與Ennos給出的疏散折射率1.435相吻合,這說明該材料不耐用並容易隨溫度變化而變化.原有的高拉應力隨膜厚增大而降低，膜厚增大導致大量的可見光散射.可以用鎢鉭舟鉬舟蒸發而且會升華，在紅外線中其穿透性超過12000nm，它沒有完全的緻密性似乎是其利用受到限制的原因，隨著IAD蒸著氟化物條件的改善這種材料的使用前景更為廣闊. 名稱：氟化鋇（BaF2）
與氟化鈣具有相似的物理特性，在室溫下蒸鍍氟化鋇，使用較低的蒸著速度時材料的堆積密度為0.66，並且密度變化與蒸著速度增大幾乎成正比，在速度為20NM/S堆積密度高達0.83，它的局限性又是它缺乏完全緻密性.透過性在高溫時移到更長的波長，所以它只能用在紅外膜.
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
250-15000 1.48 約1500 電子槍，
鉬鉭鎢舟 紅外膜 少 名稱：氟化鉛（PbF2）
氟化鉛在UV中可用作高折射率材料，在300nm時N=1.998，該材料與鉬鉭，鎢舟接觸時折射率將降低，因此需要用鉑或陶瓷皿.Ennos指出氟化鉛具有相對較低的應力，開始是壓力，隨著膜厚度的增加張力明顯增大，但這與蒸著速度無關.
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
250-17000 1.75 700--1000 電子槍，
鉑舟，坩鍋 紅外膜 少 名稱：鉻（Cr)
鉻有時用在分光鏡上並且通常用作膠質層來增強附著力，膠質層可能在5-50NM的范圍內，但在鋁鏡膜導下面，30NM是增強附著力的有效值.顆粒狀可用鎢舟蒸發而塊狀宜用電子槍來蒸發，該材料升華，但是表面氧化物可以防止它蒸發/升華，可以全用鉻電鍍鎢絲.可以用鉻作為膠質層對金鏡化合物進行韌性處理，也可在塑料上使用鉻作為膠質層.也可使用一個螺旋狀的鎢絲蒸發.它應該是所有材料中具有最高拉應力的材料.
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
⒈5 1300--1400 電子槍，
鉑舟，鎢舟 吸收膜分光膜導電膜加硬膜 名稱：鋁（Al)
不管是裝飾膜還是專業膜都是普遍用於蒸發/濺鍍鏡膜，常用鎢絲來蒸發鋁絲，在紫外域中它是普通金屬中反射性能最好的一種,在紅外域中不用Cu,Ag,Au.鋁原先有一個比較高的拉應力，在不透明厚度時，該 拉應力降低到一個小的壓應力，並且蒸著以後拉應力進一步降低.其膜的有效厚度為50NM以上. 名稱：銀（Ag)
如果蒸著速度足夠快並且基板溫度不很高時，銀和鋁一樣具有良好的反射性，這是在高速低溫下大量集結的結果，這一集結同時導致更大的吸收.銀通常不浸濕鎢絲，但是往往形成具有高表面張力的液滴，它可以用一高緊密性的螺旋式鎢絲來蒸發，從而避免液滴下掉.有人先在一個V型鎢絲上繞幾圈鉑絲接著繞上銀絲，銀絲可以浸濕鉑絲但沒有浸濕鎢絲. 名稱：金（Au)
金在紅外線1000nm波長以上是已知材料中具有最高反射性的材料，作為一種貴重金屬，它具有較強的化學堅硬性，由於它的可塑性因而抗擦傷性能低，AU可用鎢或氮化硼舟皿或者電子槍來蒸發（不能與鉑舟蒸發，它與鉑很快合金）.金對玻璃表面的附著力低，因而通常使用一層鉻作為膠質層.也可用氧離子助鍍使金的附著力得到上百倍的改善，在不透明性達到即中止IAD，並且最後的薄膜中不含有氧，摻氧將降低薄膜的反射率.
銦---錫氧化物
名稱：銦---錫氧化物和導電材料
銦-錫氧化物（ITO）和In3O5-SnO2有相對良好的導電性能和可見光穿性.這樣的薄膜在數據顯示屏和抗熱防霜裝置等方面已有很大原需求.在建築上可用作擇光窗和可控穿透窗.ITO n=1.85 at500nm熔化溫度約1450℃.
名稱：鋁（Al)
不管是裝飾膜還是專業膜都是普遍用於蒸發/濺鍍鏡膜，常用鎢絲來蒸發鋁絲，在紫外域中它是普通金屬中反射性能最好的一種，在紅外域中不用Cu,Ag,Au.鋁原先有一個比較高的拉應力，在不透明厚度時，該 拉應力降低到一個小的壓應力，並且蒸著以後拉應力進一步降低.其膜的有效厚度為50NM以上.
名稱：H1
透光范圍(nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
360--7000 2.1 2200-2400 電子槍，增透，眼鏡膜 少
名稱：H2
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
400-5000 2.1 2200 電子槍，增透，眼鏡膜 少
名稱：H4
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
360--7000 2.1 2200-2400 電子槍，增透，眼鏡膜濾光片 少
名稱：M1
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
300--9000 1.7 2200-2400 電子槍，增透，偏光膜 少
名稱：M2
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
210--10000 1.7 2100 電子槍，增透，偏光膜分光膜 少
名稱：M3
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
220--10000 1.8 2100 電子槍，增透，偏光膜 少
名稱：H5
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
210--10000 2.2 2100 電子槍,增透，濾光片 少
名稱：氧化鉭（Ta2O5）
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
400--000 2.1 1900--2200 電子槍，增透，干涉濾光片 少
名稱：WR--1
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
380--700 約1.5 360--450 鉬舟，頂層膜眼鏡膜 少
名稱：WR--2
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
380--700 約1.5 360--450 電子槍，鉬舟 頂層膜防水膜眼鏡膜 少
名稱：WR--3
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
380--700 約1.3 350--500 鉬舟 頂層膜保護膜眼鏡膜 少
名稱：L--5
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
300--7000 1.48 約2000 電子槍，增透，眼鏡膜 少
名稱：錐冰晶石（Na5AL3F14）
透光范圍（nm) 折射率（N)
500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量
250--14000 約1.33 800--1200 鉬舟鉭舟 濾光片，紫外膜 少
冰晶石（Na3ALF6）
默克公司研製的一系列的混合膜料
H1 高折射率：2.1---2.15 適用於防反膜和眼鏡膜
H2 高折射率： 2.1-2.15 適用於防反膜和眼鏡膜
H4 高折射率： 2.1-2.15 適用於防反膜和濾光片膜眼鏡膜
M1 中折射率： 1.65-1.7 適用於防反膜和偏光膜
⒈ H1,H2,H4可用作來生產高折射率的膜層，在250℃的基底上，2.1-2.15的折射率共有同次性.M1可用來生產中折射率的膜層.H1,H4和M1也能鍍在未加熱的基底上，折射率會下降.
⒉ H1在可見光到紫外波段內有相當高的透過率，在360NM左右有吸收，同ZRO2一樣無法從溶解狀態下被蒸發較為均勻的膜層.
⒊ H2在可見光波段內有很高的透過率，但在380NM時有截止吸收，這意味著鍍膜條件不理想時1/2光學厚度的存在吸收.H2優點在於它能從溶解狀態下被蒸發，因此有良好的同次性和均勻的膜厚.
⒋ H4在可見光波段內有很高的透過率，象H1 一樣在360NM左右有吸收，它也能從溶解狀態下被子蒸發，具有良好的同次性.
⒌ M1在從近紅外到近紫外的波段內有很好的透過率，300NM時有吸收，它也能從溶解的狀態下被子蒸發，具有良好的同次性和物質，適合於是高折射率的基底上鍍增透膜.
在塑料基底上鍍膜因為無法加熱基底，所以在膜料的選擇上倍加小心，以確保它能在低溫下形成穩定膜層，由於溫度偏低折射率也隨之降低，相應的膜層設計也應改變.
MGF2不能在低溫下被子蒸鍍，因為只有200℃以上溫度時它才能形成穩定的薄膜，因此只能選擇氧化物來蒸鍍，有些人用IAD助鍍強制性得到一個近乎堅固的膜
部分膜料在塑料基底上的折射率：
SiO2 Al2O3 M1 Y2O3 ZrO2 H1 H4 TiO2
⒈45 1.62 1.65 1.8 1.9 1.95 1.95 1.9--2
H2不能在低溫下被蒸鍍，因為它在藍光波段有吸收。
M1， H4， SiO2可以組成經典的AR膜系
最常用的塑料基底是：
CR-39：N=1.5
PMMA: N=1.48-1.5
聚碳酸脂： N=1.59

『柒』 （1）鋅片長期暴露在空氣中表面會形成一層薄膜，其主要成分是鹼式碳酸鋅【Zn2（OH）2CO3】．若該物質通過

（1）鐵與水和氧氣同時接觸時容易生銹，銅與水、氧氣和二氧化碳同時接觸時容易生銹，銅銹的化學式是Cu₂（OH）₂CO₃；因為Zn₂（OH）₂CO₃中沒有氮元素，該物質是通過化合反應生成的，所以反應物中一定沒有氮氣；結合銅生銹的條件及其銅銹的化學式，類比鋅片表面形成薄膜的條件及其化學式，可以判斷鋅與水、氧氣和二氧化碳反應生成了薄膜．
故選：C．
（2）①完全反應後，容器中的物質的質量差，就是生成氫氣的質量，氫氣的質量為：33.2g+10.8g-43.9g=0.1g；故填：0.1g；
②設與鐵反應的硫酸的質量為x，
燒杯中稀硫酸廢液的質量為：33.2g-18.2g=15.0g
Fe+H₂SO₄═FeSO₄+H₂↑
98 2
x0.1g
則

『捌』 7 分）（1）鋅片長期暴露在空氣中表面會形成一層薄膜，其主要成分是鹼式碳酸鋅【Zn 2 (OH) 2 CO 3 】。若