『壹』 200分內存型號怎麼認的
EDO DRAM(Extended Data Output RAM)，擴展數據輸出內存，是Micron公司的專利技術，有72線和168線之分，5V電壓，帶寬32bit，基本速率40ns以上。 EDO RAM 是在傳統 FPRAM (Fast Page RAM) 中改進過來, 運作上主要系假定下一次的存取地址都是與上一次連續, 然後准備定資料 (這是假設用戶的資料多數是 sequential 的), 這樣便能把 memory throughput 由 FPRAM 的最高 176MB/s 提升到 EDO RAM 的最高 264MB/s, 於 1993 年後 EDO RAM 便開始取代 FPRAM 的位置
靜態隨機存取內存 (Static Random Access Memory, SRAM) 是半導體內存的一種, 屬隨機存取內存 (RAM) 一類。所謂的「靜態」, 是指這種內存只要保持通電, 裡面儲存的資訊就可以恆常保持。相對之下, 動態隨機存取內存（DRAM）裡面所儲存的資料就需要周期性地更新。然而, 當電力供應停止時, 其內儲存的資料還是會消失, 這與在斷電後還能儲存資料的 ROM 或快閃記憶體仍然是不同的。
SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態隨機存儲器）的簡稱，是前幾年普遍使用的內存形式。SDRAM採用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內存相比速度能提高50％。SDRAM基於雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據時，另一個就已為讀寫數據做好了准備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應用。SDRAM曾經是長時間使用的主流內存，從430TX晶元組到845晶元組都支持SDRAM。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。
DDR雙通道同步動態隨機存儲器（雙通道同步動態隨機存取內存）即DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 為具有雙倍資料傳輸率之SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈之兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。
由於傳統SDRAM在運作時，一個單位時間內只能讀/寫一次，當同時需要讀取和寫入時，便要等其中一個動作完成才能繼續進行下一個動作。而DDR SDRAM則解決這項缺點，由於讀取和寫入可以在一個單位時間內進行，因此效能便會提升兩倍，這也便是為何DDR SDRAM的時脈要「自動乘以二」的緣故。
JEDEC為DDR存儲器設立了速度規范，並分為了以下兩個部分：按內存晶元分類和按內存模塊分類。
規格（記憶晶元）
DDR-200: DDR-SDRAM 記憶晶元在100 MHz下運行
DDR-266: DDR-SDRAM 記憶晶元在133 MHz下運行
DDR-333: DDR-SDRAM 記憶晶元在166 MHz下運行
DDR-400: DDR-SDRAM 記憶晶元在200 MHz下運行(JEDEC制定的DDR最高規格)
DDR-500: DDR-SDRAM 記憶晶元在250 MHz下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
DDR-600: DDR-SDRAM 記憶晶元在300 MHz下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
DDR-700: DDR-SDRAM 記憶晶元在350 MHz下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
DDR-700的例子(產品):Patriot PDC1G5600ELK
[編輯] 規格 （晶元模塊）
PC-1600內存模塊指工作在100 MHz下的DDR-200內存晶元，其擁有1.600 MegaByte/s的帶寬
PC-2100內存模塊指工作在133 MHz下的DDR-266內存晶元，其擁有2.133 MegaByte/s的帶寬
PC-2700內存模塊指工作在166 MHz下的DDR-333內存晶元，其擁有2.667 MegaByte/s的帶寬
PC-3200內存模塊指工作在200 MHz下的DDR-400內存晶元，其擁有3.200 MegaByte/s的帶寬
DDR2第二代雙倍數據率同步動態隨機訪問內存（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為 DDR2 SDRAM），是一種計算機內存規格。它屬於SDRAM家族的內存產品，提供了相較於DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR SDRAM（雙倍數據率同步動態隨機訪問內存）的後繼者，也是現時流行的內存產品。
JEDEC為DDR存儲器設立了速度規，並分為了以下兩個部分：按內存晶元分類和按內存模塊分類。
規格（記憶晶元）
DDR2-400：DDR2-SDRAM 記憶片在200 MHz下運行
DDR2-533：DDR2-SDRAM 記憶晶元在266 MHz下運行
DDR2-667：DDR2-SDRAM 記憶晶元在333 MHz下運行
DDR2-800：DDR2-SDRAM 記憶晶元在400 MHz下運行
DDR2-1000：DDR2-SDRAM 記憶晶元在500 MHz下運行
DDR2-1066：DDR2-SDRAM 記憶晶元在533 MHz下運行
現時有售的DDR2-SDRAM已能達到DDR2-1200，但必須在高電壓下運作，以維持其穩定性。
DDR3顯存可以看作是DDR2的改進版，二者有很多相同之處，例如採用1.8V標准電壓、主要採用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過DDR3核心有所改進：DDR3顯存採用0.11微米生產工藝，耗電量較DDR2明顯降低。此外，DDR3顯存採用了「Pseudo Open Drain」介面技術，只要電壓合適，顯示晶元可直接支持DDR3顯存。當然，顯存顆粒較長的延遲時間(CAS latency)一直是高頻率顯存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下DDR2為3/4/5。客觀地說，DDR3相對於DDR2在技術上並無突飛猛進的進步，但DDR3的性能優勢仍比較明顯：
(1)功耗和發熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控製成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易於被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由於能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。
(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少後，顯存功耗也能進一步降低。
(4)通用性好：相對於DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由於針腳、封裝等關鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能採用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。
RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存儲器匯流排式動態隨機存儲器）的簡稱，是Rambus公司開發的具有系統帶寬、晶元到晶元介面設計的內存，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的匯流排傳輸數據，同時使用低電壓信號，在高速同步時鍾脈沖的兩邊沿傳輸數據。最開始支持RDRAM的是英特爾820晶元組，後來又有840，850晶元組等等。RDRAM最初得到了英特爾的大力支持，但由於其高昂的價格以及Rambus公司的專利許可限制，一直未能成為市場主流，其地位被相對廉價而性能同樣出色的DDR SDRAM迅速取代，市場份額很小。
『貳』 內存條上的數字都代表什麼意思
內存條上的數字都代表以下意思：
1.這是一條海力士DDR2 667內存2RX16表示 雙面內存有16個內存顆粒，5300S表示內存帶寬5.3G5 5 5-12表示內存的延遲。
2.第二排是序列號之類的，意義不詳。
『叄』 電腦的記憶體有什麼規格
倒，你是從英文翻譯的叫記憶體吧，明明中文叫作內存
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從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SiSoft Sandra2001（下載地址http://www.sisoftware.co.uk/index.htm）這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。
1、內存的定義
內存指的就是主板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，並對其存儲數據的部件。存放當前正在使用的(即執行中)的數據和程序，它的物理實質就是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路。
2、內存的分類
1）內存類型分類
RAM (Random Access Memory)
隨機讀寫存儲器
ROM (Read Only Memory)
只讀存儲器
SRAM (Static Random Access Memory)
靜態隨機讀寫存儲器
DRAM (Dynamic Random Access Memory)
動態隨機讀寫存儲器
2）內存晶元分類
FPM (Fast-Page Mode) DRAM
快速頁面模式的DRAM
EDO (Extended Data Out) DRAM
即擴展數據輸出DRAM 速度比FPM DRAM快15%~30%
BEDO (Burst EDO) DRAM
突發式EDO DRAM 性能提高40%左右
SDRAM (Synchronous DRAM)
同步DRAM 與CPU的外部工作時鍾同步
RDRAM (Rambus DRAM )
DDR (Double Data Rate) DRAM
3）按內存速度分
PC66
PC100
PC133
PC200
PC266
4）按內存介面形式分
SIMM(Single-In Line Memory Mole)
單邊接觸內存條,分為30線和72線兩種。
DIMM(Dual In-Line Memory Mole)
雙邊接觸內存條，168線，184線，200線等，目前廣泛使用168線DIMM。
SODIMM Small Outline Dual In-line Memory Mole
144線DIMM主要用於筆記本型電腦
RIMM
5）按是否有緩沖分
Unbuffered
Registered
6）按是否有校驗分
Non-ECC
ECC
3、PC66/100 SDRAM內存標注格式
（1）1.0---1.2版本
這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1。2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。
（2）1.2b+版本
其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。
4、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式
威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。
PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。
5、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式
其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。
6、RDRAM 內存標注格式
其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。
7、各廠商內存晶元編號
（1）HYUNDAI（現代）
現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。
（2）LGS〔LG Semicon〕
LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。
LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。
（3）Kingmax(勝創)
Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。
Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。
KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。
（4）Geil(金邦、原樵風金條)
金邦金條分為"金、紅、綠、銀、藍"五種內存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。
金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。
三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用"S"後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。
三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64m/4K (15.6μs)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。
（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代錶速度，分成以下四類：
（A）、DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
DDR SDRAM（x4，x8，x16）時鍾率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）、Rambus（時鍾率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含義
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）、DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz
（7）其它內存晶元編號
NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPII封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。
HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOII封裝；B60代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。
SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66規格〕）。
TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPII封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。
IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit晶元中，260和360在CL=3時的標定速度為：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。
『肆』 cdrh127和mdrh127封裝的電感 有什麼區別呢
沒什麼區別，應該只是叫法不一樣。電感每家公司的叫法都不一樣的。比如風華的型號有PBO、PBS、PS、LBS、PIO、MS、LBS、BTC、PIN.優億電子的型號有YYRH，YYT，YYD，YYR。有沒有區別最好是有應該的規格書或者實物對比一下就知道了。希望對你有此幫助並得到你的採納。謝謝！
『伍』 hfil和fil的區別是什麼
區別：FIL代表是IPFS的激勵層和保障層,HFIL代表的標准滿存算力通證.
我們在挖Fil的時候，要考慮的事情非常多，包括：硬體的選擇和組裝，軟體的優化，網路配置，專業的運維；挖礦還包括，封裝扇區Fil抵押，Gas的消耗（浮動）；專業礦機需要有封裝機，存儲機；而封裝機需要非常高端的CPU和GPU，整一套下來，投入的成本比較高
拓展資料：
File Davinci會發一種代幣——Filecoin，FIL的礦工分為2種存儲礦工和檢索礦工，通過提供存儲空間和檢索數據來獲得Filecoin。fileDAC通過Standard的激勵模式將激勵礦工貢獻出自己的存儲空間，並且建立了節點。構建一個去中心化的存儲市場。獲得的 Filecoin 是有價值的，因為在這個存儲過程中，Filecoin與實體經濟相結合。用戶存儲文件需要支付 Filecoin,礦工幫助用戶存儲文件，便獲得 Filecoin。Filecoin 代幣能在 FIL 市場里流通起來，有供應需求。
FIL的收益是通過什麼呢？
FIL提供三種收益：
1、存儲收益：為需要存儲內容的客戶提供存儲空間，以幫助他們保存內容碎片，你會獲得存儲收益
2、檢索收益：提供檢索服務、帶寬，快速提供客戶所需要的內容會獲得檢索收益
3、打包收益：將區塊打包，每次確認一個區塊，網路就會給一個獎勵 另一個重要區別是FIL礦機和BTC的本質也不一樣，礦機的本質是數據計算設備。但是 FIL礦機的本質是數據存儲設備。 而且FIL 的挖礦效率是與存儲活躍度成比例的，直接向客戶提供有用的存儲服務（不像BTC的挖礦僅是為了維護區塊鏈的共識）。
FIL，本質是一個區塊鏈+存儲的項目，業務相對比較純粹，屬於基建的范疇。這和國家提出的」新基建「政策方向是一致的。FIL的誕生可以說拓展了區塊鏈的技術邊界，優化了數據的存儲方式，加速了區塊鏈落地於實體應用。
『陸』 KBTC是正宗的主流幣嗎
Defi的火爆並不是曇花一下，從2018年開始Defi生態初具萌芽但是Defi因為安全問題難成體量。從比特幣誕生到被賦予價值開始，數字貨幣自帶了金融屬性，所以說區塊鏈最先落地的領域一定是金融領域。而對於Defi則是建立在數字貨幣有價值共識的基礎上的「二級金融」。
從2020年開始，流動性挖礦點燃了Defi，而作為Defi領域的龍頭老大項目Compound將自家治理代幣Comp上線Uniswap則是「始作俑者」，一方面流動性挖礦遍地開花，另一方面我們看到蓄勢已久的Defi的潛力。而Defi一方面將數字貨幣進行金融屬性二次賦值，另一方面Defi與區塊鏈的各個領域緊密相連，比如礦業。
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對於致力於協調、幫助、整合、執行世界BTC 資源、資金和 政策，解決 BTC 的投融資的困難和電費消耗等其他問題，促進行業共同發展的比特幣王國來說，其系統內對Defi進行了集成。比特王國使用一個多因素模型來研究智能合約、抵押品和流動性風險，而模型本身使用公共鏈外以及鏈上數據的組合來評估風險，盡可能的提升其去中心化金融的安全性。同時對其Defi業務進行模塊化的抽象和封裝，同時輸出為SDK以及API。
對於比特幣礦業系統內的任何資源比特王國都有涉及，尤其是礦機領域。針對當下「優質二手礦機資源不足」、「礦機檢測缺少專業流程」、「二手礦 機買賣困難」、「市場定價和交易缺少標准」等問題，比特王國創建二手礦機平台並提供專業的礦機檢測技術以一站式託管服務。比特王國還引入了 KBTC 的數字貨幣輔助管理，讓買賣雙方根據 KBTC（系統原生代幣）的貨幣功能協商成交，從價格機制上保障用戶更容易獲得公允和實惠的價格，並通過 DeFi金融模型作為指導，進行項目的發展和升級。
KBTC作為比特王國系統內的原聲代幣，扮演著重要的角色。KBTC能夠引大量的用戶入駐和關注，在前期能幫助 KBTC 的自有流量池的打造。當 KBTC 的持有者越來越多時，此時的 KBTC具有了貨幣功能。這意味著 KBTC 可以當做貨幣在「二手礦機交易」、「礦機算力託管」中發揮越來越大的作用。KBTC 作為一種通縮貨幣，也將會越來越值錢。所以對於KBTC來講，其代表了比特王國的主旨，也代表了價值。
在2020年的9月22日，KBTC通證上線了KG交易平台。並且在22日的下午14時開放充幣，在18時開放交易（KBTC/USDT）以及提幣功能。而對於KG交易平台的主旨與比特王國高度相似，即都是致力於礦業生態以及Defi金融。
『柒』 BTC 比特幣 內涵
1、區塊鏈和比特幣的概念、內涵、本質等。
2、區塊鏈相關法律法規、規定規劃、通知公告等。
第一，筆者眼中的區塊鏈：
如同它名字一般，是指一個區域連接成一塊，最終形成很多區塊的拼接，而每一個區塊都有一個節點可以承載不同的事物，比如說你買一箱蘋果在這個節點上銷售者給你賣100塊，你就可以通過這個鏈條知道上一個種蘋果的農戶是50塊賣給銷售者的，信息公開並且透明化，可以揭開交易、服務、溝通過程中的層層面紗；個人認為區塊鏈不是去中心化，而是所有中心化的聯合，因為每一個節點就是一個小中心，將所有中心連接起來形成一整個區塊鏈資料庫，而不是傳統的將一個事物孤立為一點從而發散，是需要每一個節點配合聯動，是一種思想模型，一種載體建立在分布式核算和存儲上，只是不存在中心化的硬體或管理機構，任意節點的權利和義務均等，一個系統中的數據塊由整個系統中具有維護功能的節點來共同維護。
網路和360網路的解釋，和根據我國工業和信息化部《中國區塊鏈技術和應用發展白皮書（2016）》的定義：其是分布式數據存儲、點對點傳輸、共識機制、加密演算法等計算機技術的新型應用模式。
2018年3月31日，《區塊鏈技術原理與開發實戰》正式引入高校講堂，首次課程在西安電子 科技 大學南校區開講。2018年4月，一群來自牛津大學的學者宣布創辦世界上第一所區塊鏈大學——伍爾夫大學。5月29日，網路上線區塊鏈新功能，以保證詞條編輯公正透明。
...
第二．筆者眼中的比特幣：
基於區塊鏈技術應用發展起來的數字貨幣，非法定貨幣，向法律規則發起了挑戰，引發諸多 社會 和財產風險。需要我們慎重評估區塊鏈技術應用可能存在的法律問題，思考對策。監管問題...
...
...
狹義區塊鏈，是一種按照時間順序將數據區塊以順序相連的方式組合成的一種鏈式數據結構，並以密碼學方式保證的不可篡改和不可偽造的分布式賬本。
廣義區塊鏈技術是利用塊鏈式數據結構來驗證與存儲數據、利用分布式節點共識演算法來生成和更新數據、利用密碼學的方式保證數據傳輸和訪問的安全、利用由自動化腳本代碼組成的智能合約來編程和操作數據的一種全新的分布式基礎架構與計算方式。一般說來，區塊鏈系統由數據層、網路層、共識層、激勵層、合約層和應用層組成數據層封裝了底層數據區塊以及相關的數據加密和時間戳等技術；網路層則包括分布式組網機制、數據傳播機制和數據驗證機制等；共識層主要封裝網路節點的各類共識演算法；激勵層將經濟因素集成到區塊鏈技術體系中來，主要包括經濟激勵的發行機制和分配機制等；合約層主要封裝各類腳本、演算法和智能合約是區塊鏈可編程特性的基礎（區塊鏈技術的廣泛應用，離不開智能合約，所謂的智能合約就是以數字編碼的形式定義承諾。交易的雙方無須彼此信任，一切交易都由代碼強制執行。但智能合約的形式及其內容的效力，還沒有得到法律和司法的正式認可，其作為數字編碼的形式體現出來的合同文本，尚無法確知，是否可以構成生效合同的要件，是否可以符合司法擬採信證據的真實性、合法性、有效性。）；應用層則封裝了區塊鏈的各種應用場景和案例。
區塊鏈已經從區塊鏈1.0——數字貨幣到2.0——數字資產與智能合約，發展到現在區塊鏈3.0——DAO、DAC（區塊鏈自洽組織、區塊鏈自洽公司）-->區塊鏈大 社會 （科學，醫療，教育，區塊鏈+AI）。從比特幣等加密貨幣到追蹤中國放養肉雞。專門跟加密貨幣相關的專利申請——不包括在區塊鏈專利類別中——在2017年增長了16%，達到602項。中國2017年申請了225項區塊鏈項專利，而2016年為59項，
其次是美國（去年為91項，2016年為21項）。其體系結構的核心優勢：任何節點都可以創建交易，在經過一段時間的確認之後，就可以合理地確認該交易是否為有效，區塊鏈可有效地防止雙方問題的發生。對於試圖重寫或者修改交易記錄而言，它的成本是非常高的。
區塊鏈實現了兩種記錄：交易以及區塊。交易是被存儲在區塊鏈上的實際數據，而區塊則是記錄確認某些交易是在何時，以及以何種順序成為區塊鏈資料庫的一部分。交易是由參與者在正常過程中使用系統所創建的（以加密數字貨幣為例，一筆交易是由b將代幣發送給a所創建的），而區塊則是由我們稱之為礦工的單位負責創建。
...
（部分）區塊鏈的特點：
1. 去中心化：使用分布式核算和存儲，不存在中心化的硬體或管理機構，任意節點的權利和義務都是均等的，系統中的數據塊由整個系統中具有維護功能的節點來共同維護。
2. 開放性：系統開放的，除了交易各方的私有信息被加密外，區塊鏈的數據對所有人公開，任何人都可以通過公開的介面查詢區塊鏈數據和開發相關應用，因此整個系統信息高度透明。（私有物被加密，公有物透明）
3. 自治性：區塊鏈採用基於協商一致的規范和協議（比如一套公開透明的演算法）使得整個系統中的所有節點能夠在去信任的環境自由安全的交換數據，使得對「人」的信任改成了對機器的信任，任何人為的干預不起作用。
4. 信息不可篡改：一旦信息經過驗證並添加至區塊鏈，就會永久的存儲起來，除非能夠同時控制住系統中超過51%的節點，否則單個節點上對資料庫的修改是無效的，因此區塊鏈的數據穩定性和可靠性極高。
5. 匿名性：由於節點之間的交換遵循固定的演算法，其數據交互是無需信任的（區塊鏈中的程序規則會自行判斷活動是否有效），因此交易對手無須通過公開身份的方式讓對方自己產生信任，對信用的累積非常有幫助。
綜上筆者認可的觀點是區塊鏈是一種系統，是一種演算法技術的創新應用，只要不涉及倫理問題和道德風險，本不存在國家監管與法律規制問題。
...
參考文獻
1. 鄭惠敏：《區塊鏈法律：部分國家對虛擬貨幣、數字代幣的性質認定》大風號自媒體。
2. 曹磊：《區塊鏈,金融的另一種可能》.首席財務官.2015年24期。
3. 王文嫣：《安全透明的公共賬本——區塊鏈》.上海證券報·中國證券網.2016年2月26日。
4. 蔣潤祥;魏長江：《區塊鏈的應用進展與價值探討》.金融視界.2016年Z2期。
5. 「區塊鏈」到底是什麼？和普通人有什麼關系？.網易 科技 .2016年8月5日。
6. 劉晉豫：《 香港證監會發布公告提醒數字貨幣風險 稱其會在必要時採取執法行動》鳳凰網 財經 金色 財經 .2018年2月9日。
7. 蘇德棟：試論區塊鏈法律規制與風險.中華全國律師協會.
『捌』 如何鑒別真假金邦內存
沒假的
『玖』 IPC中文標准都有哪些
標准列表給你，裡面有下載地址。
序號 標准名 中文名
1 IPC J-STD-001F ★ 焊接的電氣和電子組件要求 J-STD-001是全球公認的唯一一份行業達成
共識的涵蓋焊接組裝材料和工藝的規范。該
標准與IPC-A-610形成完美互補，包含無鉛
製造信息。本標准對3 個級別的產品都做了
要求，並有彩色插圖，有更易於理解的用於
生產高質量焊接互連和組件的材料、方法及
檢驗的標准。
2 IPC J-STD-002D ★ 元器件引線、端子、焊片、接線柱及導線的可焊性測試
3 IPC J-STD-003C 印製板可焊性測試
4 IPC J-STD-004B ★ 助焊劑要求
5 IPC J-STD-005A ★ 焊膏要求
6 IPC J-STD-006C 電子焊接領域電子級焊料合金及含有助焊劑與不含助焊劑的固體焊料的要求
7 IPC J-STD-020E 非密封型固態表面貼裝組件的濕度迴流焊敏感性分類
8 IPC J-STD-030 板級底部填充材料的選擇與應用
9 IPC J-STD-033C 對濕度、迴流焊敏感的表面貼裝器件的處置、包裝、發運及使用方法
10 IPC J-STD-035 非氣密封裝電子元件聲學顯微鏡
11 IPC J-STD-075 組裝工藝中非IC電子元器件的分級 針對組裝工藝的非IC電子元件分類
12 IPC J-STD-609B 元器件、印製電路板和印製電路板組件的有鉛、無鉛及其它屬性的標記和標簽
13 IPC/WHMA-A-620B
★★ 線纜及線束組件的要求與驗收
14 IPC-1401 供應鏈社會責任管理體系指南
15 IPC-1601 印製板操作和貯存指南
16 IPC-1710 印刷電線板原始製造商資質認證手冊
17 IPC-1720A 組裝資格認證綱要
18 IPC-1751 聲明流程管理的通用要求
19 IPC-1752 材料聲明管理
20 IPC-1755 沖突礦物數據交換標准
21 IPC-2141 阻抗受控高速電路板設計指南
22 IPC-2152 印刷板設計中載流能力的測定標准
23 IPC-2221B 印製版設計通用標准
24 IPC-2222A 剛性有機印製板設計分標准
25 IPC-2223C 撓性印製板設計分標准
26 IPC-2224 PC卡用印製電路板分設計分標准
27 IPC-2225 有機多晶元模塊(MCM-L)和MCM-L
組件設計分標准
28 IPC-2226 高密度互連(HDI)印製板設計分標准
29 IPC-2252 射頻/微波電路板設計指南
30 IPC-2291 IPC/JPCA印刷電子設計指南
31 IPC-2581 印製板組件產品製造描述數據和傳輸方
法通用要求
32 IPC-4101D 剛性及多層印製板用基材規范
33 IPC-4103 高速/高頻應用基材規范
34 IPC-4104 IPC/JPCA高密度互連(HDI)和微型導通
孔材料規范
35 IPC-4121 為多層印製電路板應用選擇核心建築的指南,取代IPC-CC-110A
36 IPC-4202A 撓性印製電路用撓性基底介質
37 IPC-4203 用於撓性印製電路的覆蓋和粘合材料
38 IPC-4204A-WAM1 撓性印製電路用撓性覆金屬箔介質材料
39 IPC-4412B 印製板用處理「E」玻璃纖維布規范
40 IPC-4552 印製板化學鎳/浸金(ENIG)鍍層規范
41 IPC-4553 印製板浸銀規范
42 IPC-4554 印製板浸錫規范
43 IPC-4556 印製板化學鎳/化學鈀/浸金(ENEPIG)
鍍層規范
44 IPC-4562A 印製板用金屬箔
45 IPC-4591 IPC/JPCA印刷電子功能導電材料要求
46 IPC-4921 IPC/JPCA印刷電子基材(基板)要求
47 IPC-6010 印製板鑒定與性能系列標准
48 IPC-6011 印製板通用性能規范
49 IPC-6012D 剛性印製板鑒定與性能規范
50 IPC-6013C 撓性印製板的鑒定及性能規范
51 IPC-6015 有機多晶元模塊(MCM-L)安裝與互連
結構鑒定與性能規范
52 IPC-6016 高密互連板的資格認證及檢驗規范
53 IPC-6017 該標准對現有的IPC-6010系列規范作了補
充，提供含有埋入式無源電路(分布式電容
層和電容或電阻元件)的製程中和成品印製
板的鑒定與性能規范
54 IPC-6018B 高頻(微波)印製板鑒定與性能規范
55 IPC-6901 IPC/JPCA印刷電子應用分類
56 IPC-6903 T印刷電子(附加電路)設計與製造術語
及定義
57 IPC-7092 埋入式元器件的設計與組裝工藝實施
58 IPC-7093 底部端子元器件(BTC)設計和組裝工藝的實施
59 IPC-7094 倒裝晶元及晶元級元器件的設計及組裝
工藝實施
60 IPC-7095 C BGA設計及組裝工藝實施
61 IPC-7251 PCB板通孔焊盤製作標准
62 IPC-7525B 模板設計指導
63 IPC-7526 模板和錯印板的清洗手冊
64 IPC-7527 焊膏印刷要求
65 IPC-7530 波峰焊迴流焊接工藝溫度曲線指南
66 IPC-7535CN 幫助你們有效改善錫渣
67 IPC-7711/21B ★★ 電子組件的返工返修
68 IPC-9121 印製板製造工藝疑難解答
69 IPC-9201 表面絕緣電阻手冊
70 IPC-9252A 未組裝印製板電氣測試要求
71 IPC-9261 為PCAs的DPMO過程和估計產量
72 IPC-9592 計算機和通信行業用電源轉換設備的
要求
73 IPC-9691A IPC-TM-650 測試方法2.6.25 耐導電陽極絲(CAF)測試（電化學遷移測試）用戶指南
74 IPC-9701A 表面貼裝焊接連接的性能測試方法及鑒定要求
75 IPC-9702 板極互連的單向彎曲特性描述
76 IPC-9704A 印製板應變測試指南
77 IPC-9708 鑒定印製板組件焊盤坑裂的測試方法
78 IPC-9851 SMEMA標准機械設備介面標准
79 IPC-A-600H ★★ 印製板的可接受性
80 IPC-A-610F ★★ 電子組件的可接受性
81 IPC-A-620B★★ 線纜線束的設計及關鍵工藝要求、驗收
IPC-A-630★★ 電子產品整機的製造、檢驗和測試的可
接受性標准
IPC-A-640 光纖、光纜和混合線束組件的驗收要求
82 IPC-AJ-820 組裝與連接手冊
83 IPC-CC-110A 為多層印製電路板應用選擇核心建築的指南被IPC-4121取代
84 IPC-CC-830B 印製線路組件用電氣絕緣化合物的鑒定及性能
85 IPC-CH-65B 印製板及組件清洗指南
86 IPC-D-279 高可靠表面安裝印製板組裝件技術設計導則
87 IPC-D-371A 採用高速技術電子封裝設計導則
88 IPC-HDBK-001★ J-STD-001補充手冊與指南
89 IPC-HDBK-005 焊膏評估指南
90 IPC-HDBK-610 IPC-A-610的手冊和指南
91 IPC-HDBK-630 電子產品整機的製造、檢驗和測試的可
接受性標准手冊
92 IPC-HDBK-830 敷形塗覆的設計、選擇和應用指南
93 IPC-HDBK-840 阻焊膜手冊
94 IPC-HDBK-850 印製板組裝灌封材料和封裝工藝的設
計、選擇和應用指南
95 IPC-PE-740A 印製板製造和組裝的故障排除
96 IPC-QE-605A 印製板質量評價
97 IPC-S-816 表面安裝技術過程導則及檢驗表
98 IPC-SM-780 外部貼裝的元件封裝和互連重點
99 IPC-SM-782A 元件封裝製作標准
100 IPC-SM-785 表面安裝焊接件加速可靠性試驗導則
101 IPC-SM-817A 表面貼裝用絕緣粘合劑通用規范
102 IPC-SM-840E 永久性阻焊劑和撓性覆蓋材料的鑒定和性能規范
103 IPC-SPVC-WP-006 輪轉法測試和分析無鉛合金錫、銀和銅
104 IPC-T-50 電子電路互連與封裝術語及定義
105 IPC-TM-650★ 測試方法手冊
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